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軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器必須考慮的輸出電容事項

發(fā)布時間:2012-09-24 責(zé)任編輯:abbywang

【導(dǎo)讀】功率轉(zhuǎn)換開關(guān)頻率一直在不斷提高,以便最大限度地提升功率密度,軟開關(guān)技術(shù)如零電壓開關(guān)成為通用的技術(shù)以進(jìn)一步提高開關(guān)頻率。隨著開關(guān)頻率的增大,功率MOSFET 的寄生特性不再可忽略不計,輸出電容是所有寄生成分中至關(guān)重要的寄生參數(shù)。


對于采用軟開關(guān)技術(shù)如零電壓開關(guān)(zero voltage switching,ZVS)拓?fù)涞墓β兽D(zhuǎn)換器設(shè)計,輸出電容是所有寄生成分中至關(guān)重要的寄生參數(shù)。它決定了需要多少電感量來提供ZVS的工作條件。傳統(tǒng)上,許多設(shè)計人員使用粗略的假設(shè)來為公式[1-2]提供輸出電容的固定值。然而常用的等效輸出電容值在實際應(yīng)用中卻沒有很大的幫助,因為它是根據(jù)漏-源電壓變化的,并且在開關(guān)管導(dǎo)通/關(guān)斷轉(zhuǎn)變期間不能提供準(zhǔn)確的儲能信息。在功率轉(zhuǎn)換器工作電壓下,根據(jù)輸出電容存儲能量新定義的等效輸出電容,能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)化的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計。

ZVS轉(zhuǎn)換器中的輸出電容

在軟開關(guān)拓?fù)渲校ㄟ^使用電感中的儲能來達(dá)到零電壓導(dǎo)通,漏電感和串聯(lián)電感或變壓器中的磁化電感,通過諧振方式使開關(guān)管中的輸出電容放電。因此,電感必須精確設(shè)計,以防止硬開關(guān)引起額外的功率損耗。下面的公式是零電壓開關(guān)的基本要求。
零電壓開關(guān)的基本要求(1)

其中,Ceq是開關(guān)等效輸出電容,CTR是變壓器寄生電容
零電壓開關(guān)的基本要求(2)
其中,CS是開關(guān)等效輸出電容

公式(1)用于移相全橋拓?fù)鋄2],公式(2)用于LLC諧振半橋拓?fù)鋄3]。在兩個公式中輸出電容都起著重要作用。如果在公式(1)中假設(shè)輸出電容過 大,公式會給出較大的電感。然后,此大電感將降低初級di/dt,并且減低功率轉(zhuǎn)換器的有效占空比。相反,太小的輸出電容將導(dǎo)致較小的電感和有害的硬開 關(guān)。另外,公式(2)中太大的輸出電容將限制磁化電感并引起循環(huán)電流的增加。因此,對于優(yōu)化軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計,獲取準(zhǔn)確的開關(guān)輸出電容值是非常關(guān)鍵的。通 常,針對等效輸出電容的常見假設(shè)傾向于使用較大的數(shù)值。所以,根據(jù)公式(1)或(2)選擇電感后,設(shè)計人員必須調(diào)整其功率轉(zhuǎn)換器參數(shù),并且要經(jīng)過數(shù)次反復(fù) 設(shè)計,因為每個參數(shù)都是相互關(guān)聯(lián)的,例如,匝數(shù)比、漏電感、以及有效占空比。而且,功率MOSFET的輸出電容是根據(jù)漏-源電壓變化的。在功率轉(zhuǎn)換器工作 電壓下,根據(jù)儲能來等效出的輸出電容值是這些應(yīng)用的最佳替代選擇。

從輸出電容中獲得儲能

在電壓-電荷關(guān)系圖上,電容呈斜直線,電容中的儲能為該直線下包含的區(qū)域。雖然功率MOSFET的輸出電容卻是非線性的,并且依據(jù)漏源電壓的變化而變化, 但是,輸出電容中的儲能仍為非線性電容線下所包含的區(qū)域。因此,如果我們能夠找出一條直線,由該直線給出的區(qū)域與圖1中顯示的變化的輸出電容曲線所包含的 區(qū)域相同,則直線的斜率恰好是產(chǎn)生相同的儲能的等效輸出電容。

等效輸出電容的概念
圖1. 等效輸出電容的概念

對于某些老式平面技術(shù)MOSFET,設(shè)計人員可能會用曲線擬合來找出等效輸出電容,其基于通常指定的25V漏源電壓下的數(shù)據(jù)表中的輸出電容值。
公式(3)

于是,儲能可由簡單積分公式獲得。
公式(4)

最后,有效輸出電容即為
公式(5)

圖2顯示了輸出電容的測量值以及由公式(3)得出的擬合曲線。相對于圖2(a)的老式技術(shù)MOSFET,它的效果不錯。然而,對于使用新技術(shù)如超級結(jié)技 術(shù),輸出電容有更多非線性特性的MOSFET,則簡單的指數(shù)曲線擬合有時不夠好。圖2(b)顯示了最新技術(shù)MOSFET的輸出電容測量值以及用公式(3) 得出的擬合曲線。對于等效輸出電容值,兩者之間在高電壓區(qū)的間隙會導(dǎo)致巨大的差異,因為在積分公式中電壓對于電容是相乘的。圖2(b)中的估計將產(chǎn)生大得 多的等效電容,這會誤導(dǎo)轉(zhuǎn)換器的初始設(shè)計。

輸出電容估值
圖2. 輸出電容估值,(a)老式MOSFET,(b)新MOSFET

如果輸出電容值依據(jù)漏源電壓而變化,輸出電容中的儲能可以使用公式(4)來求得。雖然電容曲線顯示在數(shù)據(jù)表中,但從圖表中精確地讀出電容值并不容易。因 此,依據(jù)漏源電壓,輸出電容中的儲能由最新功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的圖表給出。通過圖3顯示的曲線,使用公式(5),可以得到在期望的直流(DC)總線 電壓下的等效輸出電容。

輸出電容中的儲能
圖3. 輸出電容中的儲能

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關(guān)于輸出電容的常見問題

在許多情況下,開關(guān)電源設(shè)計人員會有關(guān)于MOSFET電容溫度系數(shù)的疑問,因為功率MOSFET通常工作在高溫下。總之,MOSFET電容值對于溫度可以 被認(rèn)為是恒定的。MOSFET電容由耗竭長度(depletion length)、摻雜濃度、溝道寬度和硅介電常數(shù)所決定,但所有這些因素不會由溫度而產(chǎn)生較大的變化。而且MOSFET開關(guān)特性如開關(guān)損耗或開/關(guān)轉(zhuǎn)換速 度也不會因溫度而產(chǎn)生較大的變化,因為MOSFET是多數(shù)載流子器件,因而開關(guān)特性主要是由其電容來決定。當(dāng)溫度上升時,等效串聯(lián)柵極電阻會有少量增加。 這會使MOSFET在高溫下的開關(guān)速度少許降低。圖4顯示了依據(jù)溫度變化的電容。溫度變化超過150度時,電容值的變化也不超過1%。

MOSFET電容對比溫度的變化
圖4. MOSFET電容對比溫度的變化

另一個設(shè)計人員感興趣的地方是MOSFET電容的測試條件。大多數(shù)情況下,輸出電容在1MHz頻率和Vgs為0V的條件下測得。事實上存在著柵極對漏極電容、柵極對源極電容,以及漏極對源極電容。實踐中,單獨測量每一種電容是不可能的。因此,柵極對漏極電容和漏極對源極電容總稱為輸出電容,通過并聯(lián)兩個電容來測量。為使它們并聯(lián),柵極和源極短接在一起,即Vgs=0V。 在開關(guān)應(yīng)用中,當(dāng)MOSFET在柵極加偏置電壓而導(dǎo)通時,輸出電容通過MOSFET內(nèi)部溝道而短路。僅當(dāng)MOSFET關(guān)斷時,輸出電容值才值得考慮。關(guān)于 頻率,如圖5所示,在低壓下輸出電容在低頻下增加少許。低頻時,因為測試設(shè)備的限制,有時無法測量低漏源電壓下的電容。圖5中,當(dāng)漏源電壓小于4V 時,100kHz處的電容是無法測得的。雖然輸出電容僅有微小改變,但等效輸出電容幾乎是恒定的,因為低電壓下輸出電容的微小改變不會對儲能產(chǎn)生如圖3顯 示那么大影響。

MOSFET電容對比頻率
圖5. MOSFET電容對比頻率

結(jié)論

輸出電容是軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計的重要部分。必須慎重考慮等效電容值,而不是固定漏源電壓下的單一數(shù)值,本文也提供了有關(guān)輸出電容測試條件和溫度系數(shù)的討論。
 

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