【導(dǎo)讀】很久很久以前，在一個遙遠的星系中，有某個東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā)，而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。
很久很久以前，在一個遙遠的星系中，有某個東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā)，而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。
這種情況經(jīng)常重復(fù)出現(xiàn)，而且仍有更多的亞原子物質(zhì)正朝著這個方向發(fā)展。當它們到達時，它們會非常地分散，以至于可以單獨地檢測到在它們之中的任何一個。遺憾的是，進行這種檢測的對象是您巧妙設(shè)計到產(chǎn)品中的半導(dǎo)體時，造成的結(jié)果被稱為“單粒子翻轉(zhuǎn)”(single event upset，SEU)，在某些情況下，它可能造成相當大的破壞。如果您的產(chǎn)品處于地球軌道或在太空中的其他地方快速移動，這一點尤其值得關(guān)注。
以使用MOSFET的推挽式逆變器為例。如果“off”側(cè)MOSFET在本不應(yīng)該開啟的時候被錯誤地開啟，其結(jié)果可能會導(dǎo)致驅(qū)動軌電壓對接地近乎短路。類似這樣的事件可能是災(zāi)難性的。
這張草圖顯示的就是這樣的一種逆變器，但它具有保護功能，能夠避免因單粒子翻轉(zhuǎn)而造成的災(zāi)難。
圖1：每個標示的“X”表示MOSFET正經(jīng)歷一次單粒子翻轉(zhuǎn)。
無論哪一個MOSFET因單粒子翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)通，其余三個開關(guān)位置都將保持開關(guān)狀態(tài)，直到受到?jīng)_擊的MOSFET開關(guān)位置恢復(fù)正常。
在此電路中，單粒子翻轉(zhuǎn)將會暫時干擾變壓器驅(qū)動平衡，但并不至于對+Vcc軌造成潛在的災(zāi)難性下拉，因為受影響的MOSFET的配套MOSFET可以維持預(yù)期的開關(guān)狀態(tài)。
文章來源：EDN電子技術(shù)設(shè)計
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