【導(dǎo)讀】戰(zhàn)術(shù)通信技術(shù)已經(jīng)走了很長(zhǎng)一段路，從在現(xiàn)場(chǎng)鋪設(shè)電纜到在傳達(dá)命令時(shí)保持態(tài)勢(shì)感知。在這個(gè)以網(wǎng)絡(luò)為中心的沖突時(shí)代，IT基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)一路走到戰(zhàn)場(chǎng)邊緣的移動(dòng)指揮所。
戰(zhàn)術(shù)通信技術(shù)已經(jīng)走了很長(zhǎng)一段路，從在現(xiàn)場(chǎng)鋪設(shè)電纜到在傳達(dá)命令時(shí)保持態(tài)勢(shì)感知。在這個(gè)以網(wǎng)絡(luò)為中心的沖突時(shí)代，IT基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)一路走到戰(zhàn)場(chǎng)邊緣的移動(dòng)指揮所。
軍事現(xiàn)代化繼續(xù)無(wú)情地進(jìn)行。軍費(fèi)開(kāi)支的增加正在推動(dòng)陸地、空中和海上平臺(tái)采購(gòu)先進(jìn)的無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)。全球戰(zhàn)術(shù)通信市場(chǎng)將在16-2019年期間以2025%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，達(dá)到18.53億美元。1
提高移動(dòng)性，例如小型、輕便的軍用手持無(wú)線(xiàn)電，是該市場(chǎng)的一個(gè)關(guān)鍵增長(zhǎng)趨勢(shì)，并且正在挑戰(zhàn)工程師與更小尺寸、更輕重量和更高功率相關(guān)的關(guān)鍵要求。
無(wú)線(xiàn)電現(xiàn)代化
無(wú)線(xiàn)電技術(shù)不斷發(fā)展，以應(yīng)對(duì)通信挑戰(zhàn)。例如，UHF信號(hào)作現(xiàn)場(chǎng)的障礙物（例如墻壁和建筑物）衰減?，F(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無(wú)線(xiàn)電通過(guò)使用多進(jìn)多出（MIMO）方法克服了這一挑戰(zhàn)，將單個(gè)信號(hào)分成幾個(gè)占用更高帶寬的信號(hào)。
然而，另一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)需求推動(dòng)了更高的帶寬 - 需要使用寬帶連接來(lái)發(fā)送視頻，而不僅僅是語(yǔ)音。此外，幾年來(lái)，網(wǎng)絡(luò)化操作一直要求支持多頻段和多標(biāo)準(zhǔn)操作的軟件定義無(wú)線(xiàn)電（SDR）架構(gòu)。
這就要求射頻功率放大器具有新的規(guī)格，射頻功率放大器是戰(zhàn)術(shù)無(wú)線(xiàn)電設(shè)備的核心組件之一。例如，聯(lián)合戰(zhàn)術(shù)無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)（JTRS）要求它覆蓋VHF，UHF和L波段，同時(shí)提供高效率，小尺寸和重量，特別是對(duì)于手持無(wú)線(xiàn)電設(shè)備。
關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)
氮化鎵有助于減小軍用無(wú)線(xiàn)電的尺寸和重量，同時(shí)提供可靠通信所需的射頻功率。
GaN是一種寬帶隙半導(dǎo)體。GaN的帶隙為3.4 eV，而Si的1.1 eV等技術(shù)意味著GaN具有近4 MV / cm的擊穿場(chǎng)，而Si的0.2 MV / cm.2這有助于GaN的高溫可靠性和出色的功率密度能力，通常比硅LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）等舊技術(shù)高五倍。因此，3 GaN解決方案為戰(zhàn)術(shù)無(wú)線(xiàn)電提供了最佳的尺寸、重量和可靠性。
舊的軍用無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)必須使用多個(gè)設(shè)備來(lái)滿(mǎn)足多頻段設(shè)計(jì)要求，而GaN則通過(guò)單個(gè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)視頻的寬帶和MIMO的多頻段傳輸。這直接轉(zhuǎn)化為尺寸、重量和系統(tǒng)復(fù)雜性的降低，以及通過(guò)減少組件數(shù)量來(lái)節(jié)省成本。仍然有一些無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)需要每個(gè)頻段的單獨(dú)解決方案，但GaN的特性肯定允許它在比其他功率放大器技術(shù)更寬的頻段上使用。
GaN安裝在另一種寬帶隙材料碳化硅（SiC）上，通過(guò)利用SiC更好的熱特性，提供盡可能高的性能，遠(yuǎn)遠(yuǎn)彌補(bǔ)了Si上GaN的低成本。
使用氮化鎵進(jìn)行設(shè)計(jì)
Wolfspeed 的 CGHV27060MP 60 W 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 就是這樣一款高性能的 GaN SiC 器件。它采用該公司的 0.4 μm 工藝制造，功率密度為 8 W/mm，擊穿電壓為 >150 V，工作電壓為 50 V，可實(shí)現(xiàn)單級(jí)射頻器件的最高功率增益。
它可用于 UHF、L 頻段或高達(dá) 2.7 GHz 的低 S 頻段的脈沖應(yīng)用，非常適合 A/B 類(lèi)和 F 類(lèi)等高效拓?fù)渲衅骄β蕿?10-15 W 的通信放大器。
工程師可以在 CGHV27060MP-AMP27060 應(yīng)用夾具上評(píng)估 CGHV3MP。A/B 類(lèi)電路專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于滿(mǎn)足 800 MHz 至 2.7 GHz 的寬工作頻率和 50 V 工作電壓要求。
在本電路中，CGHV27060MP在VDD 16 V、IDQ 5 mA和50dBm輸入功率P時(shí)提供120.0 dB的增益G。當(dāng)PIN增加到37 dBm時(shí)，輸出功率POUT為48.5 dBm，漏極效率?為60%。
Wolfspeed 在 CGHV27060MP 中使用了其專(zhuān)有的大信號(hào)晶體管模型，并對(duì)設(shè)計(jì)中的所有無(wú)源元件進(jìn)行了建模，以包括焊盤(pán)寄生效應(yīng)的影響。這導(dǎo)致仿真與測(cè)量之間的緊密對(duì)齊和高相關(guān)性，例如輸出功率、漏極效率和增益（如圖2所示），因此可以實(shí)現(xiàn)一次成功。
圖：CGHV27060MP-AMP3 在 37 dBm 固定輸入功率下的性能在飽和輸出功率下在 48 MHz — 800，2 MHz 頻段提供超過(guò) 700 dBm 的功率。
滿(mǎn)足不斷變化的需求
戰(zhàn)術(shù)通信市場(chǎng)體現(xiàn)了航空航天與國(guó)防（A&D）的SWaP-C概念 - 尺寸，重量，功率和成本之間的權(quán)衡。成本限制通常導(dǎo)致手持式戰(zhàn)術(shù)無(wú)線(xiàn)電的設(shè)計(jì)人員，有時(shí)甚至是便攜式系統(tǒng)，尋找低成本塑料包裝的組件。
雖然上述解決方案采用陶瓷封裝，可以滿(mǎn)足更高功率系統(tǒng)的熱要求，但 Wolfspeed 了解 SWaP-C 面臨的挑戰(zhàn)，并繼續(xù)在這一領(lǐng)域以及 A?D 領(lǐng)域的許多相鄰市場(chǎng)進(jìn)行創(chuàng)新。
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