電池供電的應用，如協(xié)作機器人 (cobot)、電動自行車、工業(yè)無人機和電動工具等，都需要體積小、重量輕、功能強大的電機。無刷直流 (BLDC) 電機是一個不錯的選擇，但電機驅動電子元件相當復雜，有許多設計考慮因素。設計人員必須精密調節(jié)轉矩、速度和位置，同時還要確保高精度，并將振動、噪聲和電磁輻射 (EMR) 降到最低。此外，還必須避免使用笨重的散熱器和外部線束，以節(jié)省重量、空間和成本。

設計人員常常面臨的挑戰(zhàn)是，在設計要求與時間和預算壓力之間做出平衡，同時避免出現(xiàn)代價高昂的開發(fā)錯誤。為了應對這種挑戰(zhàn)，設計人員可以利用氮化鎵 (GaN) 等快速、低損耗半導體技術，以提供驅動 BLDC 電機所需的功率級。

本文討論了基于 GaN 的功率級的相對優(yōu)勢，并介紹了 EPC 的一款以半橋拓撲結構實現(xiàn)的樣本器件。文中還說明了如何使用相關開發(fā)套件來快速啟動項目。在此過程中，設計人員將了解到如何利用 Microchip Technology 的 motorBench 開發(fā)套件，以最小的編程工作量測量 BLDC 電機的參數(shù)，并在無傳感器磁場定向控制 (FOC) 模式下操作電機。

GaN 的優(yōu)勢

為了高效控制電池應用中的 BLDC 電機，開發(fā)人員需要一種高能效、輕量化、外形尺寸較小的驅動級，可以放在盡可能靠近致動器的地方，例如放在電機外殼內。

絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 穩(wěn)固耐用，可以在最大 200 kHz 的頻率下切換高達 100 MW 的高功率，但不適合必須在高達 80 V 電壓下對電池充電進行管理的設備。高接觸電阻、續(xù)流二極管和開關損耗，以及關斷期間的電流拖尾，所有這些因素的組合會導致信號失真、發(fā)熱過多和雜散輻射。

與 IGBT 相比，金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 開關速度更快，開關損耗和電阻損耗更低，但其柵極電容需要強大的柵極驅動器才能在高開關頻率下工作。能夠在高頻率下工作很重要，因為這意味著設計人員可以使用更小的電子元器件，從而減少整體空間需求。

GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 具有高載流子遷移率，能夠以極快的速度和低損耗建立和擊穿半導體結。集成 GaN 驅動器（如 EPC 的 EPC23102ENGRT）開關損耗極低，開關頻率則很高，支持實現(xiàn)緊湊的器件設計，適合極為狹小的空間。這款單片芯片包含一個帶有電平位移器的輸入邏輯接口、自舉加載電路和柵極驅動電路，以半橋拓撲結構控制 GaN 輸出 FET（圖 1）。芯片封裝經過優(yōu)化，具有高散熱性能和低寄生電感。

圖 1：EPC23102 包含控制邏輯、電平位移器、柵極驅動器和半橋拓撲結構的 GaN 輸出 FET（左）。芯片封裝（右）經過優(yōu)化，具有高散熱性能和低寄生電感。（圖片來源：EPC）

更少的廢熱和更低的 EMR

EPC23102 輸出晶體管的典型漏源導通電阻 (RDS(on)) 為 5.2 mΩ（25°C 時）。該晶體管可處理高達 100 V 的電壓和最大 35 A 的電流。此外，GaN 器件的橫向結構和無本征體二極管特性，使得柵極電荷 (QG) 和反向恢復電荷 (QRR) 特別低。

與具有類似 RDS(on) 的 MOSFET 器件相比，GaN 驅動器的開關損耗最多可降至前者的五分之一。因此，基于 GaN 的逆變器可以在相對較高的脈沖寬度調制 (PWM) 頻率（最高可達 3 MHz）和較短的空載時間（小于 50 ns）下運行。

GaN 半導體的開關速度 (dV/dt) 高、溫度系數(shù)低且采用更小寄生電感的封裝設計，最大程度減少了信號失真，進而最大程度減少了 EMR 和開關損耗。這樣就降低了對濾波策略的需求，而較小的低成本電容器和電感器則能節(jié)省電路板空間。

除了低接觸電阻 RDS(on) 外，GaN 器件還有其他優(yōu)勢，例如 GaN 基底具有高導熱率、器件封裝具有很大的熱接觸面積，所有這些優(yōu)勢使得 GaN 功率級能夠在沒有散熱器的情況下切換高達 15 A 的電流（圖 2）。

圖 2：GaN 功率級在 25.5°C 環(huán)境溫度和不同 PWM 頻率下的溫升與相電流的關系。（圖片來源：EPC）

EPC23102 還具有將電壓從低壓側轉換到高壓側通道的穩(wěn)健電平轉換器，這些轉換器設計用于在軟切換和硬切換情況下工作，甚至可在高負端電壓下工作，并避免快速 dV/dt 瞬變（包括來自外部源或相鄰相位的瞬變）造成誤觸發(fā)。內部電路集成了邏輯和自舉電源充電及禁用功能。當供電電壓過低甚至失效時，保護功能可防止輸出 FET 意外導通。

即用型電機逆變器評估套件

要調試采用 GaN 技術的三相 BLDC 電機，最簡單、最快捷的方法是使用 EPC 的 EPC9176KIT 電機逆變器評估套件。該套件由 EPC9176 電機逆變器板和 DSP 控制器板組成，還包括一個簡易的 EPC9147E 控制器插件適配器，用于通過客戶特定的主機控制器進行控制。耦合連接器傳輸以下信號：3 × PWM、2 × 編碼器、3 × Uphase、3 × Iphase、UDC、IDC和 2 × 狀態(tài) LED。

EPC9176 電機逆變器板是參考設計，為公司內部電路設計提供了便利，而 EPC9147A 控制器板與 Microchip Technology 的 motorBench 開發(fā)環(huán)境一起使用時，用戶無需花時間編碼或編程就能快速啟動并運行應用。

該三相 BLDC 電機逆變器集成了三個 EPC23102 GaN 半橋驅動器，以控制交流或直流電機和 DC/DC 電源轉換器。最大 RDS(on) 為 6.6 mΩ，在高達 28 A 峰值 (Apk) 或 20 A rms (ARMS) 的負載電流和高達 100 V 的開關電壓下持續(xù)工作時，功率級造成的熱損耗非常小。配置為多相 DC/DC 轉換時，EPC23102 支持高達 500 kHz 的 PWM 開關頻率；對于電機驅動應用，開關頻率最高可達 250 kHz。

尺寸為 8.1 × 7.5 cm 的 EPC9176 電機逆變器板包含支持完整電機逆變器所需的所有關鍵功能電路，包括直流總線電容器、柵極驅動器、穩(wěn)定輔助電壓、相電壓、相電流和溫度測量，以及針對每相的保護功能和可選的諧波或 EMR 濾波器（圖 3）。

圖 3：EPC9176 電機逆變器具有直流總線電容器、柵極驅動器、穩(wěn)壓器、電壓檢測功能、電流和溫度保護功能以及 EMR 濾波器。（圖片來源：EPC）

該三相 GaN 逆變器在 14 至 65 VDC 的輸入電壓下工作，切換時不會過沖，因此轉矩平穩(wěn)，運行噪聲極小。該板針對低于 10 V/ns 的 GaN 典型高速開關斜坡進行了優(yōu)化，并且可以選擇降低此開關斜坡以操作 DC/DC 轉換器。此外，還可以連接兩個以不同電平工作的轉子位置傳感器（霍爾傳感器）。

無振動的轉矩和低運行噪聲

下面通過三相 BLDC 電機的一個實施實例展示空載時間參數(shù)化對電機平穩(wěn)運行和由此產生的噪聲的影響。對于基于 GaN FET 的半橋，其高壓側和低壓側 FET 的開關轉換鎖定時間可以選擇為非常短，因為 GaN HEMT 的響應速度極快，不像較慢的 MOSFET 那樣會產生寄生過沖。

圖 4（左）顯示了一款 GaN 逆變器以 500 ns 的 MOSFET 典型空載時間和 40 kHz 的 PWM 頻率工作。本應是平穩(wěn)的正弦相電流卻顯示出極高的失真，導致轉矩紋波和相應的噪聲非常高。在圖 4（右）中，空載時間降至 50 ns，所得到的正弦相電流使電機平穩(wěn)運行，噪聲非常小。

圖 4：500 ns 的空載時間和 40 kHz 的 PWM 頻率（左）（MOSFET 的典型情況）造成相電流發(fā)生高失真，導致高轉矩紋波和高噪聲級。當空載時間為 50 ns 時（右），得到一個正弦相電流，使得電機以低噪聲平穩(wěn)運轉。（圖片來源：EPC）

更小的相電流紋波還意味著定子線圈的磁化損耗更低，而相電壓紋波越小，則分辨率越高，對轉矩和速度的控制就越精確，對于小型設計中使用的低電感電機更是如此。

對于需要更大功率的電機驅動應用，有兩款 GaN 逆變器板可供選擇：EPC9167HCKIT (1 kW) 和 EPC9167KIT (500 W)。兩者均使用 EPC2065 GaN FET，其最大 RDS(on) 為 3.6 mΩ，最大器件電壓為 80 V。EPC9167 板在每個開關位置使用一個 FET，而 EPC9167HC 有兩個 FET 并行工作，提供最大 42 Apk (30 ARMS) 的輸出電流。EPC2065 GaN FET 在電機控制應用中支持高達 250 kHz 的 PWM 開關頻率，在 DC/DC 轉換器中支持最高 500 kHz 的開關頻率。

EPC9173KIT 中的逆變器板可提供更高的功率 — 最高 1.5 kW。該板構成兩個單通道 EPC23101ENGRT GaN 柵極驅動器 IC（只有一個集成高壓側功率 FET）的半橋分支。該板可擴展為降壓、升壓、半橋、全橋或 LLC 轉換器。在有適當散熱措施的情況下，它可提供高達 50 Apk (35 ARMS) 的輸出電流，能以高達 250 kHz 的 PWM 開關頻率工作。

幾分鐘內啟動并運行驅動級

不必編程就能評估 EPC9176 GaN 逆變器板的最快速方法是使用 EPC9147A 控制器接口板。插件模塊 (PIM) MA330031-2 包含 Microchip Technology 的 16 位 DSP dsPIC33EP256MC506-I-PT（圖 5）。

圖 5：EPC9147A 通用控制器接口卡支持各種插件模塊，如基于 16 位 dsPIC33EP256 DSP 的 MA330031-2 PIM。（圖片來源：EPC/Microchip Technology）

為了方便操作 DSP 控制器接口，設計人員可以使用 motorBench 開發(fā)套件，并且須為其添加：

1、MPLAB X IDE_V5.45 和推薦更新
2、代碼配置器插件（DSP 特定的編譯）
3、motorBench 插件 2.35（電機示例）

本討論中的示例使用 EPC9146 GaN 電機逆變器板，因此：

4、從針對 EPC914xKIT 的 MCLV-2 或 EPC 項目開始，其名稱為“sample-mb-33ep256mc506-mclv2.X”

用戶可以簡單選擇 EPC9146 GaN 電機逆變器板的樣本十六進制文件，并使用編程適配器（如 Microchip Technology 用于 16 位微控制器的 PG164100）將其燒寫到 DSP dsPIC33EP256MC506。然后便可通過控件手動控制所連接的 BLDC 電機 (Teknic_M-3411P-LN-08D)，并在無傳感器 FOC 模式下運行。

如果電機運行不理想或需要配置成其他工作狀態(tài)，motorBench 還提供了一個可配置的樣本文件，燒寫該文件之前須進行編譯。如上所述，GaN 電機驅動器的一個基本但重要的參數(shù)是空載時間，須為 50ns 或更小，在編譯 hex 文件之前務必檢查此參數(shù)。

BLDC 電機的自定義參數(shù)

要利用 motorBench IDE 定制 BLDC 電機配置以實現(xiàn)無傳感器 FOC 工作，用戶可以測量其電機的參數(shù)，并在配置文件中輸入相關的值。例如，ISL Products International 的 MOT-I-81542-A 電機可以作為這里的測試電機。該電機在 24 V 電壓下以 6100 rpm 的轉速運行時，功耗約為 361 W。

首先必須確定以下四個電機參數(shù)：

· 歐姆電阻：用萬用表在定子線圈端子之間測量
· 電感：用萬用表在定子線圈端子之間測量
· 極對：要確定極對，設計人員必須將兩相短路，讓第三相開路，然后手動計算軸轉一圈的閂鎖數(shù)量，再將結果除以 2
· 反電動勢 (BEMF)：用示波器在定子線圈端子之間測量。為此，設計人員必須：
· 將探頭夾在兩條相線上，第三條相線斷開
· 用手轉動電機軸，并記錄電壓響應
· 測量最大正弦半波的峰間電壓 App 和周期 Thalf（圖 6）。

圖 6：通過測量最大正弦半波的峰間電壓 App 和周期 Thalf 來確定 BEMF。（圖片來源：EPC）

參考上述項目示例，Microchip 為 Teknic M-3411P-LN-08D 電機（8.4 ARMS、八極、轉矩 = 1 Nm、額定功率為 244 W）確定了以下參數(shù)：

· App = 15.836 Vpp
· Thalf = 13.92 ms
· 極對：pp = 4
· 然后，Microchip 利用公式 1 計算 BEMF 常數(shù) (1000 rpm = 1 krpm)：

   公式 1

   

對于此示例電機
（motorBench 使用 10.2 的值）

· RL-L = 800 mΩ 線對線電阻，減去 LCR 儀表引線的 100 mΩ
· 本例中使用 Ld = Lq = 1 mH，盡管測量結果為 932 μH

將確定的參數(shù)輸入到 motorBench 的子菜單 Configure/PMSM Motor（配置/PMSM 電機）。為此，設計人員可以簡單地使用類似電機類型的 XML 配置文件，或者將參數(shù)輸入到新建的（空）配置文件，然后通過“Import Motor”（導入電機）按鈕導入。

總結

GaN 電機驅動器 IC 具有高能效特點，適用于小尺寸、輕量化電池供電的 BLDC 電機驅動器。這些 IC 集成于電機外殼中，得到良好的保護，簡化了器件設計和安裝，并減少了維護工作。

在參考電路、基于模型的預編程 DSP 控制器和電機開發(fā)環(huán)境的支持下，BLDC 電機應用的設計和編程人員可以縮短電路設計時間，更加專注于應用開發(fā)。

(作者：Jens Wallmann)