【導(dǎo)讀】無線傳感器節(jié)點(diǎn)正越來越多地應(yīng)用于我們的日常生活中，因?yàn)樗鼈冞m合在多種多樣以及難以到達(dá)的環(huán)境中使用。它們不需要接通電源，因?yàn)樗鼈兺ǔ６歼B接到電池。
在輸入不受系統(tǒng)控制而是連接到外部世界的許多應(yīng)用中，例如測試設(shè)備、儀器儀表和一些傳感設(shè)備，輸入電壓可能會超過前端放大器的ZD額定電壓。在這些應(yīng)用中，必須實(shí)施保護(hù)方案以保持設(shè)計(jì)的生存范圍和穩(wěn)健性。
前端放大器的內(nèi)部 ESD 二極管有時(shí)用于鉗位過壓條件，但需要考慮許多因素以確保這些鉗位能夠提供足夠而強(qiáng)大的保護(hù)。了解前端放大器內(nèi)部的各種 ESD 二極管架構(gòu)，以及了解給定保護(hù)電路的熱和電遷移影響，可以幫助設(shè)計(jì)人員避免其保護(hù)電路出現(xiàn)問題并提高其在現(xiàn)場應(yīng)用的使用壽命。
ESD 二極管配置
重要的是要了解并非所有 ESD 二極管都是連接到電源和接地的簡單二極管鉗位?？梢允褂枚喾N可能的實(shí)現(xiàn)方式，例如串聯(lián)多個(gè)二極管、二極管和電阻器以及背對背二極管。下面詳細(xì)介紹了一些更常見的實(shí)現(xiàn)。
二極管連接到電源
圖 1 顯示了在輸入引腳和電源之間連接有二極管的放大器示例。二極管在正常工作條件下反向偏置，但當(dāng)輸入上升到高于正電源電壓或低于負(fù)電源電壓時(shí)變?yōu)檎蚱?。?dāng)二極管正向偏置時(shí)，電流會通過放大器的輸入流到相應(yīng)的電源。
在圖 1 中的電路的情況下，當(dāng)過壓超過 Vs 時(shí)，輸入電流本身不會受到放大器本身的限制，并且需要以串聯(lián)電阻器的形式進(jìn)行外部電流限制。當(dāng)電壓低于 –Vs 時(shí)，400Ω 電阻會提供一些電流限制，這應(yīng)該被納入任何設(shè)計(jì)考慮因素。
圖 1：AD8221 的輸入 ESD 拓?fù)?/p>
圖 2 顯示了一個(gè)具有類似二極管配置的放大器，但在這種情況下，電流受到內(nèi)部 2.2kΩ 串聯(lián)電阻的限制。這與圖 1 所示電路的不同之處不僅在于限制 R 的值，而且還在于 2.2kΩ 可防止電壓高于 Vs。這是使用 ESD 二極管時(shí)必須充分理解以優(yōu)化保護(hù)的復(fù)雜性示例。
圖 2：AD8250 的輸入 ESD 拓?fù)?/p>
限流 JFET
與圖 1 和圖 2 中的實(shí)施方式相比，限流 JFET 可以在 IC 設(shè)計(jì)中用作二極管鉗位的替代方案。圖 3 顯示了一個(gè)示例，其中當(dāng)輸入電壓超過器件的指定工作范圍時(shí)，JFET 用于保護(hù)器件。該器件通過 JFET 輸入從相反的電源軌獲得高達(dá) 40V 的固有保護(hù)。因?yàn)?JFET 會限制進(jìn)入輸入引腳的電流，所以 ESD 單元不能用作額外的過壓保護(hù)。
在需要高達(dá) 40V 的電壓保護(hù)時(shí)，該器件的 JFET 保護(hù)提供了一個(gè)控制良好、可靠、完全指定的保護(hù)選項(xiàng)。這通常與使用 ESD 二極管進(jìn)行保護(hù)形成對比，其中關(guān)于二極管電流限制的信息通常指定為典型信息，或者可能根本沒有指定。
圖 3：AD8226 的輸入保護(hù)方案
二極管堆棧
在允許輸入電壓超過電源電壓或接地的應(yīng)用中，可以使用一組二極管來保護(hù)輸入免受 ESD 事件的影響。圖 4 顯示了一個(gè)實(shí)施堆疊二極管保護(hù)方案的放大器。在此配置中，二極管串用于防止出現(xiàn)負(fù)瞬態(tài)。二極管串用于限制可用輸入范圍內(nèi)的漏電流，但在超過負(fù)共模范圍時(shí)提供保護(hù)。請記住，WY的電流限制是二極管串的等效串聯(lián)電阻。外部串聯(lián)電阻可用于降低給定電壓電平的輸入電流。
圖 4：AD8417 的低邊輸入保護(hù)方案
背對背二極管
當(dāng)輸入電壓范圍允許超過電源時(shí)，也使用背對背二極管。圖 4 顯示了一個(gè)放大器，它采用背對背二極管為器件提供 ESD 保護(hù)，該器件允許使用 3.3V 電源提供高達(dá) 70V 的電壓。D4 和 D5 是高壓二極管，用于隔離輸入引腳上可能存在的高壓，D1 和 D2 用于在輸入電壓在正常工作范圍內(nèi)時(shí)防止漏電流。在這種配置中，不建議使用這些 ESD 單元進(jìn)行過壓保護(hù)，因?yàn)槌^高壓二極管的ZD反向偏壓很容易導(dǎo)致造成YJ性損壞的情況。
無 ESD 鉗位
某些設(shè)備在前端不包括 ESD 設(shè)備。雖然很明顯，如果 ESD 二極管不存在，設(shè)計(jì)人員就不能使用 ESD 二極管進(jìn)行鉗位，但在研究過壓保護(hù) (OVP) 選項(xiàng)時(shí)，提到這種架構(gòu)是一種需要注意的情況。圖 6 顯示了一個(gè)僅使用大值電阻器來保護(hù)放大器的設(shè)備
ESD 單元作為夾具
除了了解如何實(shí)施 ESD 單元之外，了解如何利用結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)也很重要。在典型應(yīng)用中，串聯(lián)電阻用于限制指定電壓范圍內(nèi)的電流。
當(dāng)放大器按圖 7 所示配置或輸入受電源二極管保護(hù)時(shí)，輸入電流將使用以下公式中的公式進(jìn)行限制。
用于公式 1 的假設(shè)是 Vstress>Vsupply。如果不是這種情況，則應(yīng)測量更JQ的二極管電壓并將其用于計(jì)算，而不是 0.7V 近似值。
下面是一個(gè)計(jì)算示例，用于保護(hù)使用 /-15V 電源的放大器，免受高達(dá) /-120V 的輸入應(yīng)力，同時(shí)將輸入電流限制為 1mA。使用等式 1，我們可以使用這些輸入來計(jì)算以下內(nèi)容。
鑒于這些要求，Rprotection >105 kΩ 會將二極管電流限制為 <1 mA。
了解當(dāng)前的限制
Idiode 的ZD值會因部件而異，并且還取決于施加應(yīng)力的特定應(yīng)用場景。對于持續(xù)幾毫秒的YC性事件，與在應(yīng)用程序的整個(gè) 20 年以上任務(wù)配置文件生命周期中不斷施加電流的情況下，ZD電流將有所不同?？梢栽贘DZD值部分或應(yīng)用筆記的放大器數(shù)據(jù)表中找到有關(guān)特定值的指導(dǎo)，通常在 1mA -10mA 的范圍內(nèi)。
故障模式
給定保護(hù)方案的ZD額定電流Z終將受到兩個(gè)因素的限制，二極管中耗散功率的熱影響和電流路徑的ZD額定電流。功耗應(yīng)保持在一個(gè)閾值以下，以將工作溫度保持在有效范圍內(nèi)，并且應(yīng)選擇電流在指定的ZD值內(nèi)，以避免由于電遷移引起的可靠性問題。
熱影響
當(dāng)電流流入 ESD 二極管時(shí)，由于二極管中的功耗會導(dǎo)致溫度升高。大多數(shù)放大器數(shù)據(jù)表都指定了一個(gè)熱阻（通常指定為 ? JA），該熱阻將指示結(jié)溫如何隨功率耗散而增加?？紤]Z壞情況下的應(yīng)用溫度，以及由于功耗導(dǎo)致的Z壞情況溫度升高，將表明保護(hù)電路的可行性。
電遷移
即使電流不會引起熱問題，二極管電流仍然會產(chǎn)生可靠性問題。由于電遷移，任何電信號路徑都有一個(gè)ZD壽命電流額定值。二極管電流路徑的電遷移電流限制通常受與二極管串聯(lián)的內(nèi)部走線厚度的限制。此信息并不總是針對放大器發(fā)布，但如果二極管長時(shí)間處于活動狀態(tài)，而不是瞬態(tài)事件，則需要考慮。
電遷移可能成為問題的一個(gè)例子是當(dāng)放大器正在監(jiān)控并因此連接到獨(dú)立于其自身電源軌的電壓軌時(shí)。當(dāng)有多個(gè)電源域時(shí)，電源排序可能會導(dǎo)致電壓暫時(shí)超過JDZD條件。通過考慮Z壞情況下的電流路徑、該電流在整個(gè)生命周期內(nèi)可能處于活動狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間，并了解電遷移的ZD允許電流，可以避免由于電遷移引起的可靠性問題。
結(jié)論
了解放大器的內(nèi)部 ESD 二極管在電氣過載事件期間如何被激活，可以簡單地改進(jìn)設(shè)計(jì)的穩(wěn)健性。檢查保護(hù)電路的熱和電遷移影響可以突出潛在問題并指出可能需要額外保護(hù)的地方。考慮此處列出的條件，設(shè)計(jì)人員可以做出明智的選擇并避免現(xiàn)場潛在的穩(wěn)健性問題。
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