引言

在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產(chǎn)工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為設(shè)計工程師可以考慮的選項之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時，也帶來了電路設(shè)計層面的挑戰(zhàn)。 

 

并聯(lián)晶體管的設(shè)計挑戰(zhàn)

在應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)時，首先需要考慮的是并聯(lián)晶體管的通態(tài)電阻（RDS（on））。理想情況下，所選器件應(yīng)均勻匹配，以確保靜態(tài)電流在并聯(lián)晶體管之間平均分配。其次，在動態(tài)開關(guān)過程中，如果晶體管柵極缺乏對稱性，不僅會導(dǎo)致流經(jīng)晶體管的電流分配不平衡，動態(tài)電流和電路寄生參數(shù)將會導(dǎo)致高頻振蕩電壓。如果這些無法解決這些問題，將可能導(dǎo)致晶體管損壞。

 

盡管傳統(tǒng)硅晶體管的并聯(lián)配置技術(shù)已經(jīng)十分成熟，但對于GaN器件并聯(lián)技術(shù)研究還鮮有涉及?？紤]到GaN器件驅(qū)動的特殊性以及其高速開關(guān)特性，我們將首先從GaN器件驅(qū)動電路設(shè)計開始介紹。

 

正確設(shè)計驅(qū)動電路

諸如英飛凌科技 CoolGaN™600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝，這會將器件的柵極閾值電壓轉(zhuǎn)換為很低的正向電壓（1.0V～1.5V）。該結(jié)構(gòu)中柵極形成的pn結(jié)正向電壓（VF）約為3.0 V，電阻為幾歐姆，與柵極電容CG并聯(lián)。因此，CoolGaN™晶體管驅(qū)動電路與傳統(tǒng)硅晶體管存在很大差異。柵極驅(qū)動過程中，一旦達到Miller平臺，柵極電壓就被鉗位到接近VF的值，這意味著在硬開關(guān)應(yīng)用中需要負電壓來關(guān)斷晶體管。同時，CoolGaN™ 器件在穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)和開關(guān)瞬態(tài)所需驅(qū)動也有所不同。

 

針對CoolGaN™晶體管特性設(shè)計的柵極驅(qū)動電路如圖1所示。為確保柵極驅(qū)動正常，驅(qū)動電壓VS的峰值需要超過VF的兩倍（通常使用8V～10V），通過Ron提供了一條瞬態(tài)低阻抗高速AC路徑來為Con和CGS充電，然后通過RSS形成一條并聯(lián)的穩(wěn)態(tài)DC路徑。因此，柵極導(dǎo)通瞬態(tài)電流由Ron決定，而RSS決定穩(wěn)態(tài)二極管電流。

 

在柵極關(guān)斷時，CGS和Con中的電荷將快速達到平衡。此處必須確保Con大于CGS，以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨撝担瑥亩谟查_關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。

當并聯(lián)配置CoolGaN™晶體管時，可使用相同參數(shù)的RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)分別連接每個并聯(lián)晶體管，再同時與傳統(tǒng)硅晶體管的標準驅(qū)動器連接。并聯(lián)的幾個晶體管只需要一個隔離型驅(qū)動器，例如隔離型EiceDRIVER™1EDI20N12AF，使用源極（OUT +）和漏極（OUT-）輸出分別實現(xiàn)晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷。當使用12V隔離電源作為柵極驅(qū)動器供電時，EiceDRIVER™內(nèi)部會將其分為正向驅(qū)動電壓和-2.5V反向關(guān)斷電壓這樣可確保驅(qū)動電壓不超過晶體管柵極閾值，并大限度減小反向?qū)〒p耗。即使在低占空比情況下，EiceDRIVER™也可以保持良好的柵極電壓調(diào)節(jié)特性，從而阻止RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)失壓。

 

電流旁路對GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

即使每個晶體管都配置獨立的RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)，并聯(lián)晶體管的源極電流仍然存在部分共享路徑，這將會對柵極驅(qū)動產(chǎn)生影響（見圖2）。理想情況下，所有源極電流都將從漏極流至晶體管源極，但不可避免的一種情況是，部分源極電流會從開爾文源極（Kelvin source）流出。如果這些路徑的阻抗和PCB布線不同，則并聯(lián)的CoolGaN™晶體管柵極回路中的VGS電壓可能會有所不同，小至幾毫伏的柵極電壓差異會導(dǎo)致幾安培的不平衡源極電流分流，導(dǎo)致并聯(lián)晶體管之間在開關(guān)瞬態(tài)產(chǎn)生劇烈振蕩。

 

圖2：在CoolGaN™并聯(lián)操作中，開爾文源極路徑中的高阻抗可防止發(fā)生嚴重的振蕩。

 

共享驅(qū)動電流路徑問題可以通過在開爾文源極路徑中引入高阻抗共模（CM）電感解決。將共模電感器和一個1?電阻器配置在柵極和相應(yīng)的Kelvin源極驅(qū)動器返回路徑之間，柵極驅(qū)動器環(huán)路中將呈現(xiàn)很小的漏感，而并聯(lián)晶體管的柵極共享路徑中將由于兩個共模電感的存在呈現(xiàn)高阻抗。選擇共模電感需要避免對柵極驅(qū)動器的驅(qū)動能力產(chǎn)生影響，圖3所示的SIMetrix仿真結(jié)果清楚顯示了共模電感對共享驅(qū)動電流路徑問題的抑制。

 

圖3：仿真結(jié)果顯示在沒有共模電感（上）和加入共模電感（下）情況下開關(guān)40A電流。

 

PCB優(yōu)化設(shè)計

在并聯(lián)配置晶體管時，另一個普遍關(guān)注的問題是PCB中寄生電感和電容（器件布局、PCB布線、多層PCB布局），以及所用器件中寄生電感和電容的影響。對于CoolGaN™晶體管，關(guān)鍵問題是由VGS閾值范圍和晶體管之間RDS（on）差異造成的影響。通過仿真，在SIMetrix中對CoolGaN™晶體管進行建模分析。仿真模型使用0.9V～1.6V閾值電壓和55mΩ～70mΩ的RDS（on）值的CoolGaN™并聯(lián)，同時對寄生電感和PCB寄生電容電容進行建模。分析結(jié)果表明，并聯(lián)晶體管分流不均僅與所用晶體管之間的RDS（on）差異有關(guān)。在必要情況下，可以通過進行嚴格器件匹配來解決。如前文所述，使用CM電感可以避免破壞性的持續(xù)電壓振蕩。然而，遵循良好的元器件布局和PCB布線也是一個關(guān)鍵因素。電源環(huán)路和柵極驅(qū)動環(huán)路必須保持較小且對稱，同時還要確保開關(guān)節(jié)點的寄生電容盡可能低。

 

積累實踐經(jīng)驗

了解挑戰(zhàn)及其解決方案的最佳方法是在實驗室進行試驗。為此，英飛凌開發(fā)了并聯(lián)半橋評估板，其中應(yīng)用了四個70mΩ IGOT60R070D1 CoolGaN™晶體管。該評估板遵循了以上介紹的設(shè)計準則，可以為評估和設(shè)計開發(fā)提供了一個良好的基礎(chǔ)。評估版還提供了大量測試點。需要注意的重要一點是，對于某些測量點，需要高帶寬隔離差分探頭，并且在使用前矯正以確保準確的波形采集。

 

通過連接外置電感，該評估板可用于降壓或升壓電路（buck circuit or boost circuit）測試、雙脈沖（double pulse test）測試以及脈沖寬度調(diào)制（PWM）運行。評估板還適用于數(shù)千瓦功率等級或高開關(guān)頻率至1MHz的軟開關(guān)和硬開關(guān)應(yīng)用。模塊化設(shè)計簡化了測試配置流程，除了板載100µF，450V的大容量電容之外，額外的連接器允許再增加一個母線電容。 該組件與另外兩個高頻旁路電容器一起，確定了450V的輸出或母線電壓等級。在安裝合適的散熱器、導(dǎo)熱片和風扇的情況下，評估板可在硬開關(guān)或軟開關(guān)下以高達28A的連續(xù)電流，或峰值電流70A運行。 死區(qū)時間電路中的電位計也包括在評估板內(nèi)，可通過RC網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)延遲接通，以及通過二極管實現(xiàn)無延遲關(guān)斷。

 

圖4：并聯(lián)半橋CoolGaN™評估平臺。

 

總結(jié)

盡管硅晶體管并聯(lián)配置已經(jīng)十分成熟，GaN晶體管并聯(lián)配置對于許多設(shè)計工程師而言仍然存在挑戰(zhàn)，采用不同于傳統(tǒng)硅器件的柵極驅(qū)動電路是并聯(lián)配置的關(guān)鍵。由此開始，GaN晶體管并聯(lián)配置與硅晶體管相類似，但不完全相同。為保證并聯(lián)晶體管均流，需要在設(shè)計階段對PCB布線和器件選型進行優(yōu)化。針對旁路電流對并聯(lián)GaN晶體管的影響，在柵極和開爾文源極路徑中加入合適的共模電感是必不可少的，這將有助于最大限度減小電壓震蕩。