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世界最薄芯片用液態(tài)金屬納米打印:下一個(gè)革命入口

發(fā)布時(shí)間:2017-02-24 責(zé)任編輯:sherry

【導(dǎo)讀】近日刊文,介紹了一種使用液態(tài)金屬為原料,2D 打印來(lái)制造集成電路的技術(shù)。電子行業(yè)的基本技術(shù)自 1920 年以來(lái)沒(méi)有進(jìn)展,因此這種新的2D打印技術(shù)十分重要,能夠制作出超薄的電子芯片,并且顯著提高處理能力,降低成本。
 
研究人員開(kāi)發(fā)了一種新技術(shù),使用液態(tài)金屬來(lái)生產(chǎn)厚度僅為一個(gè)原子的集成電路,可以帶來(lái)電子學(xué)的下一個(gè)巨大進(jìn)步。
 
這一工藝為生產(chǎn)大約 1.5 納米厚的晶片鋪平了道路。你可以這樣對(duì)比,一張紙的厚度是 10 萬(wàn)納米。
 
此前也有人提出類似的其他技術(shù),但全部被證明在質(zhì)量方面不可靠,難以規(guī)模化產(chǎn)生,或者就是只能在非常高的溫度(550攝氏度或更高)下起作用。
 
澳大利亞墨爾本 RMIT 大學(xué)工程學(xué)院教授 Kourosh Kalantar-zadeh 領(lǐng)導(dǎo)了這一項(xiàng)目,該項(xiàng)目還包括他在 RMIT 的同事,以及來(lái)自 CSIRO、Monash 大學(xué)、北卡羅來(lái)納州立大學(xué)和加州大學(xué)的研究人員。
 GaS 晶體以及 2D 打印過(guò)程示意圖
 GaS 晶體以及 2D 打印過(guò)程示意圖
實(shí)驗(yàn)中提到的 GaS 晶體以及 2D 打印過(guò)程示意圖。
 
電子工業(yè)的發(fā)展已經(jīng)遇到了瓶頸。
 
Kourosh Kalantar-zadeh 教授表示,“汽車發(fā)動(dòng)機(jī)的基本技術(shù)自 1920 年以來(lái)沒(méi)有進(jìn)展,電子行業(yè)也一樣。如今的移動(dòng)電話和計(jì)算機(jī)和五年前的設(shè)備相比,并沒(méi)有強(qiáng)大多少。”
 
這就是為什么這種新的 2D 打印技術(shù)是如此重要。使用 2D 打印技術(shù),研究人員能夠在同一表面上安置下數(shù)量多得令人難以置信的薄電子芯片層,從而大幅提升處理能力,并且降低成本。
 
這種新的工藝將帶來(lái)電子工業(yè)的下一個(gè)革命。
 
RMIT 和 CSIRO的研究人員 Benjamin Carey 表示,制作僅有一個(gè)原子厚的電子晶片可以克服當(dāng)前芯片生產(chǎn)的局限性。
 
這種方法還可以生產(chǎn)高柔性、可彎曲的材料,為柔性電子產(chǎn)品鋪平了道路。
 
目前的工藝沒(méi)有一種能夠在大的表面積上制造原子級(jí)薄的半導(dǎo)體均勻表面,而后者對(duì)于芯片的工業(yè)規(guī)模制造是必須的。
 
“我們的解決方案是使用金屬鎵和銦,它們具有低熔點(diǎn)。”Carey 說(shuō)。
 
“這些金屬在它們的表面上產(chǎn)生原子級(jí)薄的氧化物層,氧化層很自然地保護(hù)下面的金屬。我們?cè)谥圃旃に囍惺褂玫木褪沁@種薄氧化物。”
 
“通過(guò)滾壓液態(tài)金屬,氧化物層可以轉(zhuǎn)移到電子晶片上,然后硫化。晶片的表面可以經(jīng)過(guò)預(yù)處理,形成單獨(dú)的晶體管。”
 
“我們使用這種新穎的方法來(lái)創(chuàng)造具有非常高增益和大規(guī)模制造可靠性的晶體管和光電探測(cè)器。”
 
描述了這一新技術(shù)的論文“Wafer Scale Two Dimensional Semiconductors from Printed Oxide Skin of Liquid Metals”已經(jīng)在 Nature Communications 雜志上發(fā)表。
 
論文:使用液態(tài)金屬印刷氧化皮晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體
 
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