超前角控制功能實(shí)現(xiàn)更高效率250V/600V高耐壓三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC
發(fā)布時(shí)間:2021-04-01 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】ROHM擁有超過(guò)220款機(jī)型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,而且擁有豐碩的市場(chǎng)業(yè)績(jī)。涵蓋的電機(jī)包括有刷直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、單相無(wú)刷直流電機(jī)、三相無(wú)刷直流電機(jī)(包括高電壓),擁有具備高效率和高可靠性的各種電壓、電流、封裝的產(chǎn)品陣容,而且還有引腳兼容的產(chǎn)品。
其中三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器約有20款可承受250V和600V高電壓的高耐壓機(jī)型,加上通用耐壓機(jī)型,產(chǎn)品陣容中的機(jī)型超過(guò)40款。三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的高電壓機(jī)型中包括支持帶有霍爾傳感器的電機(jī)、導(dǎo)通角為120度/150度/180度(正弦波)、電流為1.5A~2.5A的豐富產(chǎn)品,適用于空調(diào)和空氣凈化器等家用電器以及住宅設(shè)備的風(fēng)扇電機(jī)。
ROHM高電壓三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的特點(diǎn)
● 引腳兼容
ROHM的高電壓三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器分為三個(gè)系列:控制器、驅(qū)動(dòng)器、控制器+驅(qū)動(dòng)器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,在每個(gè)系列內(nèi)引腳兼容。
此外,每個(gè)系列都有擁有不同耐壓、輸出電流和驅(qū)動(dòng)方式的產(chǎn)品陣容??蛻?hù)不必為每個(gè)電機(jī)規(guī)格設(shè)計(jì)電路板,并且如果在設(shè)計(jì)過(guò)程中發(fā)生規(guī)格變更,則僅需在同一電路板上更換驅(qū)動(dòng)器IC即可,可以提高開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)效率,并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
下面是控制器、驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功能劃分框圖。
● 豐富的保護(hù)功能
為了可以承受高電壓,產(chǎn)品配備了眾多保護(hù)功能,安全性和可靠性更高。下面是保護(hù)功能一覽表。
● 超前角控制功能(150度激勵(lì)、正弦波激勵(lì)控制方式機(jī)型)
要想盡可能地提高電機(jī)效率,理想的做法是通過(guò)將磁體(轉(zhuǎn)子)磁場(chǎng)的相位和線(xiàn)圈(繞組)磁場(chǎng)的相位設(shè)置為90度來(lái)獲得最大轉(zhuǎn)矩。
如下圖所示,相感應(yīng)電壓和相電流的乘積為相轉(zhuǎn)矩,但乘積為負(fù)的部分(下圖左側(cè)的灰色區(qū)域所示的時(shí)間段)就會(huì)變成負(fù)轉(zhuǎn)矩。改善這種情況并提高效率的一種方法是控制驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)相對(duì)于霍爾信號(hào)的相位。
通過(guò)使相施加電壓的相位超前,使感應(yīng)電壓和電流相位匹配(下圖右側(cè)的綠色箭頭),來(lái)消除負(fù)轉(zhuǎn)矩時(shí)間段。
理想的超前角值會(huì)因電機(jī)的特性、轉(zhuǎn)速和負(fù)載轉(zhuǎn)矩(電流值)而變化,因此需要根據(jù)使用狀態(tài)來(lái)設(shè)置為適當(dāng)?shù)闹怠?/div>
ROHM支持正弦波激勵(lì)、150度激勵(lì)的機(jī)型內(nèi)置有超前角設(shè)置功能,可以通過(guò)下圖所示的三種方式進(jìn)行設(shè)置,并可以通過(guò)設(shè)置超前角值來(lái)獲得更高的效率。BM6206FS、BM6207FS、BM6225FS、BM6226FS、BM6224FS、BM6214FS的超前值設(shè)置為0~+30度,BM6208FS、BM6209FS、BM6227FS、BM6228FS、BM6215FS、BM6229FS的超前值設(shè)置為0~+40度。
● 內(nèi)置功率MOSFET采用PrestoMOS™(電機(jī)驅(qū)動(dòng)器600V產(chǎn)品)
內(nèi)置功率MOSFET的600V耐壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器采用了ROHM自有的PrestoMOS。PrestoMOS是一種超級(jí)結(jié)MOSFET,通過(guò)縮短以往超級(jí)結(jié)MOSFET的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和柵極電容,與IGBT相比損耗可顯著降低。這可以使高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率更高。
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