看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第3部分—連續(xù)電流額定值
發(fā)布時(shí)間:2020-04-02 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值,以及它們是如何變得不真實(shí)的。好,也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)的方法測(cè)量出來(lái)的,而是被計(jì)算出來(lái)的,并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。
例如,大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”,這個(gè)值同與周圍環(huán)境無(wú)關(guān),并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過(guò)這個(gè)值不會(huì)立即對(duì)FET造成損壞,而在這個(gè)限值以上長(zhǎng)時(shí)間使用將開(kāi)始減少器件的使用壽命。高于這個(gè)限值的故障機(jī)制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降解、以及電遷移應(yīng)力所導(dǎo)致的問(wèn)題。
然后是我們考慮的“芯片限值”,通常通過(guò)將外殼溫度保持在25?C來(lái)指定?;旧?,這個(gè)條件假定了一個(gè)理想的散熱片,只使用結(jié)至外殼熱阻來(lái)計(jì)算器件能夠處理的最大功率(在下面的方程式1和2中顯示)。換句話說(shuō),假定RθCase-to-Ambient 為零,這在應(yīng)用中并不是一個(gè)很實(shí)用的條件,這樣的話,最好將這個(gè)電流額定值視為表示器件RDS(ON) 和熱阻抗的品質(zhì)因數(shù)。
下面的圖表1a和1b分別給出了CSD18536KCS和CSD18535KCS 60V TO-220 MOSFET數(shù)據(jù)表首頁(yè)上出現(xiàn)的絕對(duì)最大額定值表。這兩個(gè)器件的封裝額定值均為200A,不過(guò),由于CSD18536KCS具有更低的RDS(ON) 和熱阻抗,它具有349A的更高芯片限值,這表明,在處理同樣數(shù)量的連續(xù)電流時(shí),它的運(yùn)行溫度應(yīng)該比CSD18535KCS的工作溫度低。不過(guò),我們還是不建議將這兩款器件長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行在電流超過(guò)200A的條件下。從FET的角度說(shuō),這就意味著任一超過(guò)100ms的電流脈沖;超過(guò)這個(gè)值的電流脈沖基本上就可以被視為DC脈沖。
圖表1a:CSD18535KCS絕對(duì)最大額定值表
圖表1b:CSD18536KCS絕對(duì)最大額定值表
某些QFN數(shù)據(jù)表還包括一個(gè)第3連續(xù)電流,計(jì)算方法與芯片限值的計(jì)算方法完全一樣,不過(guò),如表格下方的腳注所示,它是器件測(cè)得的RθJA 的函數(shù)。使用RθJA (對(duì)于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的SON5x6封裝來(lái)說(shuō),典型值為40?C/W)來(lái)計(jì)算最大功率的方法假定QFN在應(yīng)用中只處理3W左右的功率。因此,對(duì)于未暴露于任何散熱片或使用其它冷卻機(jī)制的QFN器件來(lái)說(shuō),這個(gè)計(jì)算方法給出了更加實(shí)際的DC電流限值。
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