【導(dǎo)讀】不言而喻,PC電路板的布局設(shè)計決定了每一種電源設(shè)計的成敗。它決定了一個電源的功能、電磁干擾(EMI)和熱行為。雖然開關(guān)電源布局不是黑魔法,但在設(shè)計過程中會經(jīng)常被忽視,最終發(fā)現(xiàn)其至關(guān)重要卻為時已晚。因此需要一種行之有效的方法,從一開始就削弱這些潛在的EMI威脅,方能確保電源安靜而穩(wěn)定。
雖然許多開關(guān)模式電源設(shè)計人員都很清楚開關(guān)模式電源的設(shè)計復(fù)雜性和細微差別,但很多公司根本沒有足夠的設(shè)計人員滿足所有項目需求完成設(shè)計。不少設(shè)計人員將退休并離開此行業(yè)!那么,如何解決這個問題呢?
首先,就是因為模擬電源設(shè)計人員不足,所以要求越來越多的數(shù)字設(shè)計人員進行開關(guān)模式電源設(shè)計!雖然大多數(shù)數(shù)字設(shè)計人員都知道如何使用簡單的線性穩(wěn)壓器,但并非所有設(shè)計都要求降壓(降壓模式)。事實上,很多是升壓模式(升壓),甚至是降壓-升壓拓撲(降壓和升壓模式相結(jié)合)。
顯然,許多電子系統(tǒng)制造商都面臨一個問題:如何實現(xiàn)系統(tǒng)所需的所有開關(guān)模式電源電路?
解決設(shè)計資源短缺問題
在本文中,我將介紹降壓穩(wěn)壓器工作的一些基本原理,包括開關(guān)穩(wěn)壓器熱回路中的高di/dt和寄生電感如何導(dǎo)致電磁噪聲和開關(guān)振鈴。然后我們將看看如何減少高頻噪聲。我還將介紹ADI的Power by LinearTM Silent Switcher®技術(shù),包括它如何構(gòu)成,并演示它如何幫助解決EMI問題,且絲毫不會影響性能。其中還包括SilentSwitcher器件如何工作。
我還將概述Silent Switcher的封裝和布局,討論這些封裝和布局如何提高降壓轉(zhuǎn)換器的整體性能。此外,我將演示如何將此技術(shù)融入我們的μModule®穩(wěn)壓器,從而提高SilentSwitcher器件的集成度。對于不熟悉開關(guān)模式電源設(shè)計技術(shù)的設(shè)計人員,這些簡單易用的解決方案會很有用。
基本降壓穩(wěn)壓器電路
最基本的電源拓撲之一是降壓穩(wěn)壓器,如圖1所示。EMI從高di/dt回路開始。供電線和負載線不應(yīng)具有高交流電流分量。因此,輸入電容C2應(yīng)將所有相關(guān)電流的交流分量傳輸至輸出電容C1,所有電流交流分量在這里結(jié)束。
圖1. 同步降壓穩(wěn)壓器原理圖。
參考圖1,在M1關(guān)閉而M2打開的開啟周期中,交流電流在實線藍色回路中流動。在關(guān)閉周期中,當M1打開而M2關(guān)閉時,交流電流在綠色虛線回路中流動。大多數(shù)人難以理解,產(chǎn)生最高EMI的回路既不是實線藍色回路,也不是虛線綠色回路。而是虛線紅色回路中流動的全開關(guān)交流電流,從零切換至I峰值,再回到零。虛線紅色回路通常指熱回路,因為它有最高交流電流和EMI能量。
導(dǎo)致電磁噪聲和開關(guān)振鈴的是開關(guān)穩(wěn)壓器熱回路中的高di/dt和寄生電感。要減少EMI并改進功能,需要盡量減少虛線紅色回路的輻射效應(yīng)。如果我們能夠?qū)⑻摼€紅色回路的PC電路板面積減少到零,并且能夠買到具有零阻抗的理想電容,就能解決這個問題。然而,在現(xiàn)實世界中,設(shè)計工程師所能做的就是找到一個最佳的折中方案!
那么,這些高頻噪聲到底是從哪里來的呢?在電子電路中,通過寄生電阻、電感和電容耦合,在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中,產(chǎn)生了高頻諧波。知道是哪里產(chǎn)生噪聲,那么如何減少高頻開關(guān)噪聲呢?減少噪聲的傳統(tǒng)方式是減慢MOSFET開關(guān)邊緣。通過減慢內(nèi)部開關(guān)驅(qū)動器或從外部添加緩沖器,就可以實現(xiàn)。
但是,這會降低轉(zhuǎn)換器的效率,因為增加了開關(guān)損耗——特別是當開關(guān)穩(wěn)壓器在高開關(guān)頻率(如2MHz)下運行時。說到這里,我們?yōu)楹我?MHz的頻率下運行呢?實際上有幾個原因:
● 它允許使用較小(尺寸)的外部元件,如電容和電感。例如,每次開關(guān)頻率加倍,會使電感值和輸出電容值減半。
● 在汽車應(yīng)用中,在2 MHz下開關(guān)可以避免在AM頻段產(chǎn)生噪聲。
減小輻射,也可使用濾波器和屏蔽,但這需要更多的外部元件和電路板面積。還可采用展頻(SSFM)技術(shù),但這樣在已知范圍內(nèi)會使系統(tǒng)時鐘抖動。SSFM有助于滿足EMI標準要求。EMI能量被打散分布在頻域上。雖然普通開關(guān)電源所選的開關(guān)頻率通常會在AM頻段之外(530 kHz至1.8 MHz),但在AM頻段內(nèi),未經(jīng)調(diào)制的開關(guān)諧波仍可能不符合嚴格的汽車EMI要求。添加SSFM功能可明顯減少AM頻段內(nèi)及其他區(qū)域中的EMI。
或者就使用ADI的Silent Switcher技術(shù),該技術(shù)能夠滿足上述所有要求:
● 高效率
● 高開關(guān)頻率
● 低電磁輻射(EMI)
Silent Switcher技術(shù)
Silent Switcher器件無需減慢開關(guān)邊緣速率,解決了EMI和效率之 間的權(quán)衡問題。那么如何才能實現(xiàn)呢?考慮使用LT8610, a如圖2 左側(cè)所示。這是支持42 V輸入的單片(內(nèi)部有FET)同步降壓轉(zhuǎn)換器,可提供高達2.5 A的輸出電流。請注意,其左上角有一個輸入引腳(VIN)
圖2. 如何將LT8610轉(zhuǎn)換為Silent Switcher器件——LT8614。
但是,將LT8610與LT8614 (支持42V輸入的單片同步降壓轉(zhuǎn)換器,可提供高達4 A的輸出電流)相比,我們可以看到,LT8614在封裝的另一側(cè)有兩個VIN引腳和兩個接地引腳。這很重要,因為它是實現(xiàn)超低噪聲開關(guān)的一部分!
如何使開關(guān)穩(wěn)壓器具有超低噪聲
如何實現(xiàn)這個目標?在芯片另一側(cè)的VIN 和接地引腳之間放置兩個輸入電容可消除磁場。幻燈片中突出顯示了這一點,在原理圖和演示板上均用紅色箭頭指向電容的位置,如圖3所示。
圖3. LT8614圖,顯示濾波器電容安置在IC另一側(cè)的VIN和接地引腳之間。
LT8614詳情
LT8614包含Silent Switcher功能。利用該功能,我們通過使用銅柱倒裝芯片封裝能夠減少寄生電感。此外,還有反向VIN、接地和輸入電容,可消除磁場(適用右手法則)以降低EMI輻射。
由于不需要使用焊線鍵合式裝配技術(shù)所要求的長鍵合線,不會產(chǎn)生大的寄生電阻和電感,從而可減小封裝寄生電感。兩個對稱分布的輸入熱回路產(chǎn)生的反向磁場相互抵消,并且電回路沒有凈磁場。
我們將LT8614 Silent Switcher穩(wěn)壓器與當前先進的開關(guān)穩(wěn)壓器LT8610進行比較。在GTEM室中,對兩個器件的標準演示板使用相同負載、相同輸入電壓和相同電感進行了測試。我們發(fā)現(xiàn),與使用LT8610具有很不錯的EMI性能相比,使用LT8614時還能提高20dB,特別是在管理更高頻率更困難的區(qū)域。在整體設(shè)計中,與其他敏感系統(tǒng)相比,LT8614開關(guān)電源需要的濾波更少、距離更短,從而可以實現(xiàn)更簡單緊湊的設(shè)計。此外,在時域內(nèi),LT8614在開關(guān)節(jié)點邊緣的性能良好。
圖4. LT8614輻射EMI性能可滿足最嚴格的CISPR 25 Class 5限制要求。
Silent Switcher器件的進一步增強
盡管LT8614具有出色的性能,但我們并沒有停止改進的步伐。于 是,LT8640 降壓穩(wěn)壓器采用Silent Switcher架構(gòu),旨在最大限度地 減少EMI/EMC輻射,同時在高達3 MHz的頻率下提供高效率。它采用3 mm × 4 mm QFN封裝,采用集成電源單片式結(jié)構(gòu),同時提供所有必需的電路功能,共同構(gòu)成PCB占用空間最小的解決方案。瞬態(tài)響應(yīng)性能仍然很出色,任何負載(從零電流到滿電流)時的輸出電壓紋波低于10 mV p-p。LT8640允許在高頻率下進行高VIN到低VOUT轉(zhuǎn)換,最短開關(guān)導(dǎo)通時間為30 ns。
為改進EMI/EMC,LT8640可工作在展頻模式。該功能以20%的三角調(diào)頻調(diào)整時鐘。當LT8640處于展頻調(diào)制模式時,使用三角調(diào)頻功能在RT設(shè)定值與約高于該值20%之間調(diào)整開關(guān)頻率。調(diào)制頻率約為3 kHz。例如,當LT8640設(shè)為2 MHz時,3kHz速率下的頻率將從2MHz至2.4MHz不等。選擇展頻工作模式時,突發(fā)模式Burst Mode®操作會禁用,器件將在脈沖跳躍模式或強制連續(xù)模式下運行。
然而,盡管我們在Silent Switcher數(shù)據(jù)手冊中都有說明,如提供了原理圖和布局建議,以及將輸入電容放在盡可能靠近IC兩側(cè)的位 置——有一些客戶仍然會出錯。此外,我們的內(nèi)部工程師也花了太多的時間來解決客戶的PCB布局問題。因此,我們的設(shè)計人員提出了解決此問題的最佳解決方案——Silent Switcher 2架構(gòu)。
Silent Switcher 2
采用Silent Switcher 2技術(shù),我們只需將電容集成在新LQFN封裝內(nèi):VIN電容、IntVCC和升壓電容——盡可能靠近引腳放置。優(yōu)勢是將所有熱回路和接地層都包括在內(nèi),從而降低了EMI。外部元件越少,解決方案尺寸就越小。此外,我們還消除了PCB布局敏感性。
如圖5所示,可以看出LT8640和LT8640S 的原理圖有何不同。而營 銷突破口是為包含內(nèi)部電容的集成度更高的新版本冠以“S”的后綴。因為它比第一代更“安靜”!
圖5. LT8640S是一款具有更高的電容集成度的Silent Switcher 2器件。
Silent Switcher 2技術(shù)提高了散熱性能。LQFN倒裝芯片封裝上的多個大尺寸接地裸露焊盤有助于封裝和PCB散熱。由于我們消除了高電阻鍵合線,因此還提高了轉(zhuǎn)換效率。LT8640S的EMI性能輕松滿足輻射EMI性能CISPR 25 Class 5峰值限制要求并且有較大的裕量。
下一步:所有組件都與Silent Switcher 2 μModule穩(wěn)壓器集成
Silent Switcher技術(shù)如此引人注目,我們選擇將其融入我們的 μModule穩(wěn)壓器產(chǎn)品線。所有組件都集成在一個小尺寸封裝中, 為用戶提供了一個簡單可靠、高性能和高電源密度的解決方案。 LTM8053 和LTM8073是幾乎集成了所有組件的微型模塊穩(wěn)壓器,只有少量電容和電阻接在外部。
圖6. LTM8053 Silent Switcher 2 μModule。
總結(jié)
綜上所述,Silent Switcher功能和優(yōu)勢將使您的開關(guān)模式電源設(shè)計更容易滿足CISPR 32和CISPR 25等各種抗噪標準要求。它們能夠 輕松有效地做到這一點是由于以下特性:
● 能夠在大于2 MHz開關(guān)頻率下進行高效轉(zhuǎn)換,并且對轉(zhuǎn)換效率的影響最小。
● 內(nèi)部旁路電容減少EMI輻射并提供更緊湊的解決方案占板空間。
● 采用Silent Switcher 2技術(shù)基本上消除了PCB布局的敏感性。
● 可選展頻調(diào)制有助于降低噪聲敏感度。
● 使用Silent Switcher器件既可節(jié)省PCB面積,又可減少所需的層數(shù)。
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