【導(dǎo)讀】BQ25618/9是TI為TWS耳機(jī)充電倉專門開發(fā)的一款三合一（保護(hù)，充電及升壓）的IIC控制開關(guān)充電芯片。其中BQ25618跟BQ25619在規(guī)格上一致，區(qū)別在于BQ25618采用的是小型化的DSBGA封裝，0.4mm的管腳間距，對生產(chǎn)工藝有較高的要求，而BQ25619采用的稍大一點(diǎn)的WQFN封裝 方便方便線路布板，器件的封裝尺寸見下圖一。
我們從下面四個(gè)角度角度來了解這顆芯片：
圖二
1: 降壓充電功能：
a) 輸入工作電壓范圍支持4-13.5V，瞬間浪涌電壓可以支持到22V，可以很方便的支持5V,9V,12V工作系統(tǒng)。
b) 輸入過壓通過VAC腳檢測，默認(rèn)值OVP值為14.2V，通過IIC可以有四擋OVP值調(diào)節(jié)5.7 V/6.4 V/11 V/14.2，可以根據(jù)實(shí)際需求靈活調(diào)整。
c) IIC編程設(shè)置輸入過流保護(hù)點(diǎn)，范圍可以從100mA到3.2A，最小步進(jìn)電流是100mA。
d) 動(dòng)態(tài)功率管理（DPM-Dynamic Power Management ）,當(dāng)輸入電流超過輸入過流保護(hù)點(diǎn)，而使得輸入電壓逐漸降低，當(dāng)達(dá)到設(shè)定的電壓跌落值時(shí)默認(rèn)值為4.5V（3.9V-5.4V，可使用IIC設(shè)定，最小步進(jìn)100mV），系統(tǒng)開始減少充電電流，從而保證輸入電壓維持在設(shè)定值。DPM功能可以很好的防止由于輸入適配器帶負(fù)載能力不夠而造成的整個(gè)系統(tǒng)的癱瘓。
e) 具有自動(dòng)輸入檢測功能，當(dāng)檢測到輸入適配器插入，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)關(guān)閉內(nèi)置的升壓電路。
2: 升壓放點(diǎn)功能：
a) 當(dāng)適配器插入，任然可以用PMID給耳機(jī)充電，此時(shí)電壓為輸入電壓，升壓停止工作。PMID_GOOD設(shè)計(jì)用來做輸入過壓過流保護(hù)的。
b) PMID 腳是升壓輸出腳，輸出電流最大為1A，輸出電壓支持4檔（4.6V/4.75V/5V/5.15V）IIC可調(diào)，方便根據(jù)實(shí)際的需求降低輸出電壓，減小損耗。當(dāng)只有電池的情況下，內(nèi)置升壓才開始工作，通過PMID輸出相應(yīng)的設(shè)定電壓。
c) PMID_GOOD腳是PMID電壓的檢測腳，當(dāng)PMID 電壓升到3.8V的時(shí)候，PMID_GOOD電平從低轉(zhuǎn)為高，表示升壓系統(tǒng)正常工作。如果發(fā)生過壓（超過5.8V），電池側(cè)過流（超過6A）的情況，PMID_GOOD會(huì)從高電平轉(zhuǎn)為低電平，根據(jù)PMID_GOOD指示可以很容易驅(qū)動(dòng)外置的PMOS做過壓、過流時(shí)升壓系統(tǒng)的切斷，從而給系統(tǒng)疊加雙重保護(hù)。外置保護(hù)電路可以參考如圖三所示
圖三
3：輸出介紹
a) 充電電流最大1.5A, 同時(shí)具有20mA步進(jìn)（20mA-1.5A 可編程）的充電截止電流，10mV的步進(jìn)充電電壓，可以使充電倉的電池充的更滿。
b) 為了補(bǔ)償截止電流的精度，讓電池能夠充的更滿一些，BQ25618/9增加了TOP-OFF Timer功能，如下圖四紅色框所示，在系統(tǒng)偵測到充電截止后，還可以選擇性的通過IIC增加充電時(shí)間（0，15min，30min，45min）。
c) QON腳支持運(yùn)輸模式，在運(yùn)輸模式下，漏電流可以低至7uA。
d) 優(yōu)化過的路徑管理功能可以在即使電池過放或者電池?cái)嚅_的情況下，給系統(tǒng)供電。
e) 室溫下的靜態(tài)電流典型值為9.5uA，相較于開關(guān)充電芯片的漏電流下降70%以上。可以大大增加電池供電情況下的待機(jī)時(shí)間
f) 具有系統(tǒng)過壓保護(hù)，電池過壓、過流保護(hù)，電池過放保護(hù)，除了TS腳的過溫保護(hù)外，還有芯片內(nèi)部過溫保護(hù)（150C關(guān)斷）等完善的保護(hù)機(jī)制。
圖四
4：PCB 布線介紹
BQ25619優(yōu)化管腳的位置，輸入到輸出更加簡潔。以下為BQ25619的PCB layout走線指導(dǎo)：
a) 輸入電容應(yīng)盡可能靠近PMID引腳和GND引腳，并使用最短的走線連接。添加1nF小尺寸（例如0402或0201）的去耦電容，去除高 頻率噪聲和改善EMI。
b) 電感輸入引腳應(yīng)盡可能靠近SW引腳放置。最小化走線的銅面積以降低電場和磁場輻射，
注意走線要滿足最大電流（見圖五中黃色箭頭所示的功率回路）。SW走線不要用多層連接，防止寄生電容造成開關(guān)瞬間的尖峰電壓過高。
c) 將輸出電容器靠近電感和芯片，接地需要與IC的地用最短的走線相連。
d) 將小信號(hào)地與功率地分開布線，單點(diǎn)接地，或使用0電阻將小信號(hào)地連接到功率地。
e) 去耦電容必須用最短的線擺放在IC管腳附近。
f) 將IC背面的裸露散熱焊盤焊接到PCB上，確保在IC的正下方有足夠的散熱孔，并連接至接地層，以幫助散熱。
圖五
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