不少公司試圖開發(fā)MEMS開關技術，不過都同樣面臨著大規(guī)模生產并大批量提供可靠產品的挑戰(zhàn) 。其中ADI公司積極投入MEMS開關項目，并建設了自有先進的MEMS開關制造設施，以滿足業(yè)界對于量產的需求。

 

基本原理

 

ADI MEMS開關技術的關鍵是靜電驅動的微加工懸臂梁開關組件概念。本質上可以將它視作微米尺度的機械開關，其金屬對金屬觸點通過靜電驅動。

 

開關采用三端子配置進行連接。功能上可以將這些端子視為源極、柵極和漏極。下圖是開關的簡化示意圖，情況A表示開關處于斷開位置。

 

 

將一個直流電壓施加于柵極時，開關梁上就會產生一個靜電下拉力。這種靜電力與平行板電容的正負帶電板之間的吸引力是相同的。當柵極電壓斜升至足夠高的值時，它會產生足夠大的吸引力（紅色箭頭）來克服開關梁的彈簧阻力，開關梁開始向下移動，直至觸點接觸漏極。過程如下圖情況B所示。

 

 

這時，源極和漏極之間的電路閉合，開關接通。拉下開關梁所需的實際力大小與懸臂梁的彈簧常數(shù)及其對運動的阻力有關。注意：即使在接通位置，開關梁仍有上拉開關的彈簧力（藍色箭頭），但只要下拉靜電力（紅色箭頭）更大，開關就會保持接通狀態(tài)。

 

最后，當移除柵極電壓時（下圖情況C），即柵極電極上為0V時，靜電吸引力消失，開關梁作為彈簧具有足夠大的恢復力（藍色箭頭）來斷開源極和漏極之間的連接，然后回到原始關斷位置。

 

 

下圖1為采用單刀四擲 (ST4T) 多路復用器配置的四個MEMS開關的放大圖。每個開關梁有五個并聯(lián)阻性觸點，用以降低開關閉合時的電阻并提高功率處理能力。

 

圖1 ，四個MEMS懸臂式開關梁（SP4T配置）

 

MEMS開關需要高直流驅動電壓來以靜電力驅動開關。為使器件盡可能容易使用并進一步保障性能，ADI公司設計了配套驅動器集成電路（IC）來產生高直流電壓，其與MEMS開關共同封裝于QFN規(guī)格尺寸中。此外，所產生的高驅動電壓以受控方式施加于開關的柵極電極。它以微秒級時間斜升至高電壓。斜升有助于控制開關梁的吸引和下拉，改善開關的動作性能、可靠性和使用壽命。下圖2顯示了一個QFN封裝中的驅動器IC和MEMS芯片實例。驅動器IC僅需要一個低電壓、低電流電源，可與標準CMOS邏輯驅動電壓兼容。這種一同封裝的驅動器使得開關非常容易使用，并且其功耗要求非常低，大約在10mW到20mW范圍內。

 

圖2，驅動器IC（左）和MEMS開關芯片（右）安裝并線焊在金屬引線框架上

 

性能優(yōu)勢

 

以ADGM1004/ADGM1304 SP4T 系列為例，其各項參數(shù)與傳統(tǒng)機電繼電器比較 (圖3)  有著不少明顯優(yōu)勢。

 

圖3， ADGM1004/ ADGM1304 MEMS與傳統(tǒng)機電繼電器比較

 

ADGM1004/ADGM1304 SP4T 同時含整合式驅動器，適用于繼電器替代品、RF 測試儀器，以及 RF 切換。產品規(guī)格詳情及相關評估板EVAL-ADGM1004EBZ可瀏覽Digi-Key 產品專頁。

 

應用示例

 

過去，要在ATE測試設備中實現(xiàn)dc/RF開關功能，必須使用EMR開關。但是，由于存在以下問題，使用繼電器可能會限制系統(tǒng)性能：

 

繼電器開關的尺寸較大，必須遵守“禁區(qū)”設計規(guī)則，這意味著它要占用很大面積，缺乏測試可擴展性。

 

繼電器開關的使用壽命有限，僅為數(shù)百萬個周期。

 

必須級聯(lián)多個繼電器，才能實現(xiàn)需要的開關配置（例如，SP4T配置需要三個SPDT繼電器）。

 

使用繼電器時，可能遇到PCB組裝問題，通常導致很高的PCB返工率。

 

由于布線限制和繼電器性能限制，實現(xiàn)全帶寬性能可能非常困難。

 

繼電器驅動速度緩慢，為毫秒級的時間量級，從而限制了測試速度。

 

以典型的dc/RF開關扇出16:1多路復用功能為例 (圖4)，需要九個DPDT EMR繼電器和一個繼電器驅動器IC，來實現(xiàn)18:1多路復用功能（八個DPDT繼電器只能產生14:1多路復用功能）。圖5中，顯示了相同的扇出開關功能，僅使用五個ADGM1304或ADGM1004SP4T MEMS開關，因而得以簡化。

 

 

圖6中顯示了實現(xiàn)這兩個原理圖的視覺演示PCB的照片。左側顯示了物理繼電器解決方案，說明了繼電器解決方案占用了多大的面積、保持布線連接之間的對稱如何困難，以及對驅動器IC的需求。從右側則可看出，占用PCB面積減小，開關功能的布線復雜性降低。按面積計算，MEMS開關使占用面積減少68%以上，按體積計算，則可能減少95%以上。

 

ADGM1304 和ADGM1004 MEMS開關內置低電壓、可獨立控制的開關驅動器；因此，它們不需要外部驅動器IC。由于MEMS開關封裝的高度較?。ˋDGM1304的封裝高度為0.95mm，ADGM1004的封裝高度為1.45mm），因此開關可以安裝PCB的反面。較小的封裝高度增大了可實現(xiàn)的信道密度。

 

圖6. DC/RF扇出測試板的視覺比較：實現(xiàn)16:1多路復用功能，使用九個EMR開關（左黃）和五個MEMS開關（右紅）

 

本文小結

 

最后，小尺寸解決方案通常對于任何市場都是一項關鍵要求。MEMS在這方面具有令人信服的優(yōu)勢。下圖7以實物照片比較了封裝后的ADI SP4T（四開關）MEMS開關設計和典型DPDT（四開關）機電繼電器的尺寸。MEMS開關節(jié)省了大量空間，其體積僅相當于繼電器的5%。這種超小尺寸顯著節(jié)省了PCB板面積，增加PCB板的雙面開發(fā)之可能。這一優(yōu)勢對于迫切需要提高信道密度的自動測試設備制造商特別有價值。

 

圖7，ADI引線框芯片級封裝MEMS開關（四開關）與典型機電式RF繼電器（四開關）的尺寸比較

 

 

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