電容式MEMS麥克風(fēng)也給設(shè)計人員提出了挑戰(zhàn):1)麥克風(fēng)在聲壓作用下產(chǎn)生的小信號幅度非常微小，要求讀出電路的噪聲極低;2)電容式MEMS麥克風(fēng)的靜態(tài)電容是pF量級，讀出電路需要GΩ量級的輸入電阻才能實現(xiàn)極點頻率低于20Hz的高通濾波器，因此，高阻值電阻的實現(xiàn)是讀出電路的又一挑戰(zhàn);3)電容式MEMS麥克風(fēng)通常應(yīng)用于電池供電的產(chǎn)品，因此低功耗設(shè)計也是讀出電路設(shè)計時必須考慮的約束。

基于以上考慮，在分析電容式MEMS麥克風(fēng)工作原理的基礎(chǔ)上，提出了一種低功耗、低噪聲、高分辨率的電容式MEMS麥克風(fēng)讀出電路。

1 電容式MEMS麥克風(fēng)

1.1 工作原理

電容式MEMS麥克風(fēng)的主要結(jié)構(gòu)包括一個薄而有彈性的聲學(xué)振膜及一個剛性的背極板。振膜、背極板以及它們之間的空氣隙共同組成一個平行板電容器，故有:

V=Q/C，C=εS/x (1)

式中，C 為電容量，S 為極板的面積，Q 是極板間的電壓為V 時存儲的電荷量，ε是極板間介質(zhì)(空氣)的介電常數(shù)，x 為兩極板間的距離。當(dāng)dP 大小的聲壓變化作用于振膜時，將引起兩極板間的電壓變化:

因為dx∝dP，所以輸出電壓dV∝dP。這就是電容式MEMS麥克風(fēng)的聲電轉(zhuǎn)換工作原理。

這一原理成立的條件是:在聲電轉(zhuǎn)換過程中，必需保持麥克風(fēng)電容所儲電荷量Q 不變，因此需要外加一個穩(wěn)定的直流電壓給電容充電，使之保持恒定的充電狀態(tài)。這一功能由電荷泵來實現(xiàn)。

1.2 麥克風(fēng)讀出電路結(jié)構(gòu)

電容式MEMS麥克風(fēng)及其讀出電路組成的系統(tǒng)如圖1所示。


電荷泵為麥克風(fēng)提供穩(wěn)定的直流電壓，以保持麥克風(fēng)電容所儲電荷量不變。在此基礎(chǔ)上，聲壓作用于振膜時，將引起麥克風(fēng)兩極板間電壓的變化，這個音頻范圍內(nèi)的電壓小信號Vmic通過麥克風(fēng)電容Cmic和讀出電路的高阻值輸入電阻組成的高通濾波器讀出。

需要特別指出，背靠背的二極管有三個作用:1)提供高阻值輸入電阻，與麥克風(fēng)電容一起實現(xiàn)低極點頻率的高通濾波器，進(jìn)而實現(xiàn)麥克風(fēng)小信號的讀出;2)為單位增益緩沖器提供直流偏置電壓;3)起靜電保護(hù)作用，在讀出電路遭受靜電襲擊時為其提供低阻直流通路。單位增益緩沖器的作用一是屏蔽麥克風(fēng)與后續(xù)信號處理電路，避免兩者之間相互影響，二是提高讀出電路的驅(qū)動能力。

2 讀出電路設(shè)計

2.1 低極點頻率高通濾波器

背靠背二極管的實際電路如圖2所示。背靠背二極管可實現(xiàn)虛擬電阻。二極管連接的PMOS管Ma，Mb的襯底與柵極相接，這種連接方式不會產(chǎn)生寄生三極管，可以保證兩個二極管串始終只有一組導(dǎo)通(飽和導(dǎo)通或亞閾值導(dǎo)通)。在正常工作狀態(tài)下，Ma1，Ma2亞閾值導(dǎo)通。仿真結(jié)果表明，當(dāng)節(jié)點IN與節(jié)點A之間的電壓差絕對值小于0.2V時，背靠背二極管可以實現(xiàn)GΩ量級的電阻，如圖3所示。


背靠背二極管還可以為單位增益緩沖器提供直流偏置電壓。電流源Ib的電流流過電阻Rb，從而在節(jié)點A形成固定的電壓，單位增益緩沖器的輸入直流偏置也就被固定于IbRb。

背靠背二極管具有ESD保護(hù)作用，在讀出電路遭受靜電襲擊時為其提供低阻直流通路。需要注意的是，因為讀出電路對輸入阻抗要求很高，所以在設(shè)計中使用了ESD保護(hù)電路與讀出電路內(nèi)部功能性電路復(fù)用的電路，這樣可以避免在設(shè)計完功能性電路后再加上ESD保護(hù)電路而對電路性能產(chǎn)生重大影響。
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2.2 低噪聲低功耗單位增益緩沖器

較之開環(huán)運(yùn)算放大器，使用單位增益緩沖器可得到比開環(huán)運(yùn)放更大的輸入阻抗和更小的輸出阻抗，從而可以更好地屏蔽麥克風(fēng)與后續(xù)信號處理電路，以避免兩者之間的相互影響;同時，還可以更容易地驅(qū)動后續(xù)信號處理電路。

只需將運(yùn)算放大器輸出端與反相輸入端短接，即可實現(xiàn)單位增益緩沖器，如圖4所示。與套筒式結(jié)構(gòu)相比，使用折疊結(jié)構(gòu)的運(yùn)算放大器最大的優(yōu)點在于易于使運(yùn)放的輸出與輸入短接，共模電平的選取也更加容易。


輸入管使用尺寸較大的PMOS管，其原因主要有兩個:一是與NMOS管相比，PMOS管的1/f噪聲更小;二是輸入管直流偏置點可以設(shè)置得更低，從而使電荷泵輸出電壓大部分降落在麥克風(fēng)上。

采用不對稱的輸入管，反相輸入管尺寸更大，其優(yōu)點在于可以消除輸入失調(diào)電壓的影響，提高分辨率。假如設(shè)置運(yùn)放反相輸入端的直流偏壓比正相輸入端高50mV，那么，當(dāng)麥克風(fēng)小信號的幅值小于50mV 時，讀出電路分辨率將不受失調(diào)電壓的影響。而且，反相輸入管面積越大，閃爍噪聲越小，進(jìn)而減小了單位增益緩沖器的等效輸入噪聲。

工作在飽和區(qū)的MOS管的跨導(dǎo)與其漏極電流的平方根成正比。但是，工作在亞閾值區(qū)的MOS管的跨導(dǎo)與其漏極電流成正比。所以，為了在降低噪聲和功耗的同時保持運(yùn)放的開環(huán)增益，設(shè)計中采用工作在亞閾值區(qū)的輸入管。忽略運(yùn)放第二級對輸入噪聲的影響，音頻范圍內(nèi)二級運(yùn)放的等效輸入噪聲電壓為:

(3)式主要考慮了閃爍噪聲的影響。從(3)式可以看出，增大M1~M6的尺寸可以增大M1和M2的跨導(dǎo)，減小M3~M6的跨導(dǎo)可以減小閃爍噪聲。需要說明的是，在設(shè)計低功耗的二級運(yùn)放時，為了降低功耗，可以讓運(yùn)放中的一些管子工作在亞閾值區(qū)，但這是以增大管子面積、降低運(yùn)放速度為代價的。在電路設(shè)計過程中，往往需要考慮多方面的因素來進(jìn)行折中優(yōu)化設(shè)計。

3 電路仿真結(jié)果與分析

基于X-FAB 0.35 μm CMOS 工藝，使用Cadence軟件，對MEMS麥克風(fēng)讀出電路進(jìn)行仿真。設(shè)電荷泵輸出電壓為11V，麥克風(fēng)靜態(tài)電容為1pF，設(shè)定單位增益緩沖器輸入直流電平為200mV，負(fù)載為100pF電容和100kΩ電阻的最差負(fù)載情況。

電路仿真結(jié)果顯示，電源電壓在1.2~3.6V時，讀出電路均可正常工作(當(dāng)電源電壓低于1.2V時，基準(zhǔn)電流源無法正常工作，基準(zhǔn)電流會迅速下降并趨于0，此時，讀出電路因得不到合適的偏置而無法正常工作;當(dāng)電源電壓高于3.6V時，超過了工藝耐壓的極限，極有可能對芯片造成毀滅性的損壞);讀出電路靜態(tài)電流小于60μA，在20Hz~20kHz的音頻范圍內(nèi)，等效輸入噪聲為5.2μV，信號讀出效率大于83.6%(-1.56dB)。

電源電壓為1.2V時，讀出電路的幅頻響應(yīng)曲線如圖5所示，低頻的極點頻率為8.6Hz。


由于運(yùn)放失調(diào)電壓的影響被不對稱輸入管消除，且電荷泵的等效輸出噪聲是nV量級(可以忽略不計)，所以讀出電路可以處理的小信號幅度范圍是50μV~200mV。

結(jié)語

設(shè)計了一種新穎的電容式MEMS麥克風(fēng)讀出電路，該電路包含低極點頻率的高通濾波器和低噪聲的單位增益緩沖器兩個部分。采用二極管連接的MOS管實現(xiàn)了高阻值的輸入電阻，與電容式MEMS麥克風(fēng)的靜態(tài)電容一起組成低極點頻率的高通濾波器，可讀出麥克風(fēng)在聲壓作用下產(chǎn)生的小信號。另外，采用兩種辦法來提高讀出電路的分辨率:一是運(yùn)放采用不對稱輸入管來消除失調(diào)電壓的影響，二是通過增大輸入管的尺寸等方法來降低運(yùn)放的輸入噪聲。在讀出電路的設(shè)計中，為了降低讀出電路的功耗，使用了工作在亞閾值區(qū)的MOS管。本文提供的讀出電路設(shè)計方案具有噪聲小、可以處理的小信號幅度范圍廣、功耗低等特點，可延長電池供電的便攜式設(shè)備的待機(jī)時間。

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