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如何區(qū)分寄生電容與分布電容?
如何區(qū)分寄生電容與分布電容?

在電子電路中,本來沒有在那個地方設計電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會增大,不能忽略。在計算中我們要考慮進去。ESL就是等效電感,ESR就是等效電阻。不管是哪類電子元件,如:電阻,電容,電感,二極管,三極管,MOS管,IC等,在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值,電感值。詳細閱讀>>

干貨"title="干貨" 干貨

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會增大,不能忽略。在計算中我們要考慮進去。ESL就是等效電感,ESR就是等效電阻。不管是電阻,電容,電感,還是二極管,三極管,MOS管,還有IC,在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值,電感值。

功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測

功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測

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在工作于自激振蕩模式的SMPS中,需要檢測磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測的最新技術(shù)基于對與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對磁芯實際去磁后出現(xiàn)的零電壓進行檢測(ZCD)。在準諧振工作中,重新啟動新一輪導通周期的最佳時機位于功率MOSFET漏極電壓的"谷點"處。詳細閱讀>>

SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

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富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域,富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗,落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。詳細閱讀>>

漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

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從20nm技術(shù)節(jié)點開始,漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常,DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關(guān)重要的一個考慮因素。詳細閱讀>>

寄生電容對串聯(lián)諧振電容器充電電源特性的影響

寄生電容對串聯(lián)諧振電容器充電電源特性的影響

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本文研究了理想串聯(lián)諧振電容器充電電源的電流特性和實際串聯(lián)諧振電容器充電電源的電流特性,分析了充電系統(tǒng)中高壓變壓器和高壓整流二極管的寄生參數(shù)的影響,采用等值電路來描述變壓器和二極管中復雜的寄生電容,并且可以通過試驗來測得,指出由于變壓器和二極管寄生電容的存在,使所設計的高壓串聯(lián)諧振充電電源變成了一個高壓串并聯(lián)諧振充電電源,其充電電流并不恒定。詳細閱讀>>

電容傳感器寄生電容干擾的產(chǎn)生原因及消除方法

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電容傳感器寄生電容干擾的產(chǎn)生原因及消除方法

電容式傳感器具有結(jié)構(gòu)簡單,靈敏度高,溫度穩(wěn)定性好,適應性強,動態(tài)性能好等一系列優(yōu)點,目前在檢測技術(shù)中不僅廣泛應用于位移、振動、角度、加速度等機械量的測量,還可用于液位、壓力、成份含量等熱工方面的測量中。但由于電容式傳感器的初始電容量很小,一般在皮法級,而連接傳感器與電子線路的引電纜電容、電子線路的雜散電容以及傳感器內(nèi)極板與周圍導體構(gòu)成的電容等所形成的寄生電容卻較大,不僅降低了傳感器的靈敏度,而且這些電容是隨機變化的,使得儀器工作很不穩(wěn)定,從而影響測量精度...詳細閱讀>>

一文讀懂:寄生電容

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一文讀懂:寄生電容

X9C102,X9C103,X9C104是美國Xicor公司的高精度數(shù)字電位器,電位器的阻值和型號的后綴數(shù)字相同,分別是1k(102), 10k(103),100k(104)等。詳細閱讀>>

經(jīng)典案例 經(jīng)典案例
如何妙用二極管減少信號線上的寄生電容

如何妙用二極管減少信號線上的寄生電容

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二極管以其單向?qū)щ娞匦?,在整流開關(guān)方面發(fā)揮著重要的作用;其在反向擊穿狀態(tài)下,在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是,利用二極管的反偏壓結(jié)電容,能夠有效地減少信號線上的接入寄生電容,這里將近一步討論這個運用。詳細閱讀>>

寄生電容耦合到電源:如何避免傳導EMI問題

寄生電容耦合到電源:如何避免傳導EMI問題

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電磁干擾EMI中電子設備產(chǎn)生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸,互相產(chǎn)生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑,如何解決傳導干擾?這里,我們先著重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況。詳細閱讀>>

MOSFET的寄生電容是如何影響其開關(guān)速度的?

MOSFET的寄生電容是如何影響其開關(guān)速度的?

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我們應該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時,漏源之間也有一個寄生電容CDS,所以考慮寄生電容時,MOSFET 的等效電路就成了圖 2 的樣子了。詳細閱讀>>

實際上,由于頻率的不斷提高,致使引線寄生電感、寄生電容的影響愈加嚴重,對器件造成更大的電應力(表現(xiàn)為過電壓、過電流毛刺)。為了提高系統(tǒng)的可靠性,有些制造商開發(fā)了"用戶專用"功率模塊(ASPM),它把一臺整機的幾乎所有硬件都以芯片的形式安裝到一個模塊中,使元器件之間不再有傳統(tǒng)的引線連接,這樣的模塊經(jīng)過嚴格、合理的熱、電、 機械方面的設計,達到優(yōu)化完美的境地。