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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

鋰電池短路保護(hù)：功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)

鋰電池具有能量高、使用壽命長(zhǎng)、重量輕、綠色環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛的應(yīng)用。在鋰電池的應(yīng)用中，短路保護(hù)設(shè)計(jì)和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性直接相關(guān)，因此，要保證電池安全工作，不僅要選擇合適的功率MOSFET，而且要設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路。本文將講解如何選取功率MOSFET型號(hào)及設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路。詳細(xì)閱讀>>

Vishay推出高性能60V TrenchFET第四代N溝道功率MOSFET

Vishay推出6.15mmx5.15mm PowerPAK?SO-8單體封裝的60V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiR626DP。SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率，導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%，同時(shí)柵極電荷和輸出電荷達(dá)到同類產(chǎn)品最低水平。詳細(xì)閱讀>>

Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET器件SiHH068N60E

Vishay推出最新第四代600V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低27%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60%。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo) (FOM)。詳細(xì)閱讀>>

通過(guò)功率MOSFET的頂面溫度估算結(jié)點(diǎn)溫度

本文中，我們提出了一種根據(jù)器件的頂面溫度估算MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度的快速而簡(jiǎn)單的方法，這易于利用一臺(tái)探針臺(tái)（bench probe）予以確定。為了開發(fā)一個(gè)利用頂面溫度計(jì)算出結(jié)點(diǎn)溫度的公式，我們利用Vishay Siliconix基于網(wǎng)絡(luò)的ThermaSim? 在不同條件下運(yùn)行了一組對(duì)流行MOSFET封裝類型的實(shí)驗(yàn)。為了得到與數(shù)據(jù)手冊(cè)更好的一致性，應(yīng)該在1英寸×1英寸的正方形FR-4板上安裝MOSFET。詳細(xì)閱讀>>

理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

功率MOSFET管的柵極電荷特性表述了柵極電壓和柵極電荷的關(guān)系，結(jié)合柵極的電荷特性和漏極的導(dǎo)通特性可以直觀而形象的理解MOSFET開通及關(guān)斷過(guò)程。通常很多電子工程師知道，由于米勒電容的效應(yīng)，MOSFET在開通及關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生開關(guān)損耗，在他們選型的時(shí)候，就會(huì)重點(diǎn)檢查功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的Qg和Ciss這兩個(gè)參數(shù)，認(rèn)為這兩個(gè)因素主要影響開關(guān)損耗，本文將詳細(xì)的分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。詳細(xì)閱讀>>

東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET

東芝推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽(yáng)能(PV)功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)和其他工業(yè)應(yīng)用。詳細(xì)閱讀>>

經(jīng)典案例

理解功率MOSFET的電流

通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁(yè)，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然而對(duì)于許多電子工程師來(lái)說(shuō)，他們對(duì)于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選取這些電流值，常常感到困惑不解，本文將系統(tǒng)的闡述這些問(wèn)題，并說(shuō)明在實(shí)際的應(yīng)用過(guò)程中如何考慮這些因素，最后給出選取它們的原則。詳細(xì)閱讀>>

硅功率MOSFET前景堪憂？

30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場(chǎng)快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來(lái)，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？詳細(xì)閱讀>>

大、中功率MOSFET與IGBT驅(qū)動(dòng)電路方案探討

隨著電力電子技術(shù)和電力半導(dǎo)體器件的飛速發(fā)展，近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種高性能、低損耗和低噪聲的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備性能的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì)MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，應(yīng)考慮以下幾個(gè)因素：詳細(xì)閱讀>>

近年來(lái)，功率MOSFET廣泛地應(yīng)用于電源、計(jì)算機(jī)及外設(shè)（軟、硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、掃描器等）、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。